公开(公告)号：CN103022095B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN102332468B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN102034876A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010503591.6

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 芦田洋一 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  中山喜明 ,  白木聪 ,  千田厚慈

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体装置，包括：SOI衬底(1)；具有布置在SOI衬底(1)的活性层(3)中的第一和第二杂质层(5，6，71，77，81，88)的半导体元件(5，6，71，77，81，88)，其中第二杂质层(6，71，81)围绕第一杂质层(5，77，88)；和布置在活性层(3)中邻近SOI衬底(1)的嵌入绝缘薄膜(4)的部分中的多个第一和第二导电型区域(10，11)。第一和第二导电型区域(10，11)交替地布置。第一和第二导电型区域(10，11)具有对应于半导体元件(5，6，71，77，81，88)的布局。

公开(公告)号：CN103745979A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN103548147A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023653.0

申请日：2012-05-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木隆司 ,  户仓规仁 ,  白木聪 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  山田明

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/861

Abstract: 一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。

公开(公告)号：CN103745979B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN101794708B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010002979.8

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 千田厚慈 ,  白木聪 ,  前田幸宏 ,  广濑伸一 ,  藤井哲夫 ,  中野敬志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/77 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L27/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体器件的制造方法包括：准备由SOI基板(30)构成的晶片的工序；在主面表层部形成电路部(LV、HV)的工序；除去SOI基板的支撑基板(29)的工序；以与电路部相对的方式将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；切割晶片从而使其分割成多个芯片的工序；以与低电位基准电路部(LV)的一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件上，以与高电位基准电路部(HV)的一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件上的工序；以及，将第1导电构件与低电位基准电路部的第1部分电连接，将第2导电构件与高电位基准电路部的第2部分电连接的工序。

公开(公告)号：CN102332468A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H02M7/515 ,  H02M1/36 ,  G01R19/00

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN104124817A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410165281.6

申请日：2014-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  长田正彦 ,  今泉典久 ,  村上隆一

IPC: H02K7/00 ,  H02K11/00

CPC classification number: B60K17/356 ,  B60K7/0007 ,  B60K2001/003 ,  B60K2007/0038 ,  B60K2007/0092 ,  B60L3/003 ,  B60L11/1803 ,  B60L11/1877 ,  B60L15/007 ,  B60L15/20 ,  B60L2200/12 ,  B60L2220/44 ,  B60L2240/12 ,  B60L2240/36 ,  B60L2240/421 ,  B60L2240/429 ,  B60Y2200/12 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/705 ,  Y02T10/7275

Abstract: 一种轮内马达单元(11)适于附接至车身(101)。该单元(11)包括轮部分(13，14)、旋转机械(20)、以及逆变器设备(30)。轮部分(13，14)是旋转体。旋转机械(20)布置于轮部分(13，14)中并且包括定子(40)和转子(50)。逆变器设备(30)构造为将从车身(101)一侧供应的电能从直流电转变为交流电并且将转变的电能供应至旋转机械(20)。定子(40)和转子(50)形成为环形形状。逆变器设备(30)布置于在定子(40)和转子(50)内侧形成的空间部分中。

公开(公告)号：CN103022095A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。