公开(公告)号：CN103745979A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN103548147A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023653.0

申请日：2012-05-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木隆司 ,  户仓规仁 ,  白木聪 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  山田明

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/861

Abstract: 一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。

公开(公告)号：CN100557819C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200480029528.6

申请日：2004-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  黑柳晃 ,  大仓康嗣 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P-体区41以及N-漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。

公开(公告)号：CN100487916C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580015045.5

申请日：2005-05-11

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。

公开(公告)号：CN102403341B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110274680.2

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。

公开(公告)号：CN102034876B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010503591.6

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 芦田洋一 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  中山喜明 ,  白木聪 ,  千田厚慈

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体装置，包括：SOI衬底(1)；具有布置在SOI衬底(1)的活性层(3)中的第一和第二杂质层(5，6，71，77，81，88)的半导体元件(5，6，71，77，81，88)，其中第二杂质层(6，71，81)围绕第一杂质层(5，77，88)；和布置在活性层(3)中邻近SOI衬底(1)的嵌入绝缘薄膜(4)的部分中的多个第一和第二导电型区域(10，11)。第一和第二导电型区域(10，11)交替地布置。第一和第二导电型区域(10，11)具有对应于半导体元件(5，6，71，77，81，88)的布局。

公开(公告)号：CN102403341A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110274680.2

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。

公开(公告)号：CN101026161A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710078983.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 尾关善彦 ,  户仓规仁 ,  都筑幸夫

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0611 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)；IGBT区(IGBTREGION)，其包括位于衬底(1)的第一表面上并提供沟道形成区的第一区(2)，以及位于衬底(1)的第二表面上并提供集电极的第二区(3)；二极管区(DIODE REGION)，其包括位于第一表面上并提供阳极或阴极的第三区(4)和位于第二表面上并提供阳极或阴极的第四区(5)；外围区(PERIPERY REGION)，其包括位于第一表面上的第五区(6，6b－6g)和位于第二表面上的第六区(7a、7b)。第一、第三和第五区(2、4、6、6B－6g)共同且电气耦合，并且第二、第四和第六区(3、5、7a、7b)共同并电气地相互耦合。

公开(公告)号：CN1855534A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077712.9

申请日：2006-04-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  户仓规仁 ,  尾关善彦 ,  山本建策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

Abstract: 一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层(1，21)；在第一半导体层(1，21)上的第二半导体层(2)；在第二半导体层(2)上的第三半导体层(3)；在第三半导体层(3)的表面部分的一部分中的第四半导体层(4)；穿过第四半导体层(4)和第三半导体层(3)并到达第二半导体层(2)的沟槽(5)；在沟槽(5)的内壁上的栅极绝缘薄膜(6)；在沟槽(5)中栅极绝缘薄膜(6)上的栅电极(7)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。沟槽(5)包括具有弯曲表面的底部(5a)，弯曲表面的曲率半径等于或小于0.5μm。

公开(公告)号：CN102332468B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。