公开(公告)号：CN103548147A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023653.0

申请日：2012-05-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木隆司 ,  户仓规仁 ,  白木聪 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  山田明

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/861

Abstract: 一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。

公开(公告)号：CN1823421A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020035.6

申请日：2004-08-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山内庄一 ,  山口仁 ,  铃木隆司 ,  中岛京子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种具有超连接结构的垂直型MOSFET装置，其中N型柱形区和P型柱形区交替排列。从有源区的终端与柱形区的终端之间的距离方面看，该柱形区的终端设置在这样的位置上，以使得其与有源区终端分离的距离可由相应于柱形区的深度的距离减去N型柱形区的宽度的一半获得。因此，防止了电场集中在面对柱形结构的窄边区的特定部分上，从而提高了垂直型MOSFET的击穿电压。

公开(公告)号：CN1823421B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480020035.6

申请日：2004-08-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山内庄一 ,  山口仁 ,  铃木隆司 ,  中岛京子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种具有超连接结构的垂直型MOSFET装置，其中N型柱形区和P型柱形区交替排列。从有源区的终端与柱形区的终端之间的距离方面看，该柱形区的终端设置在这样的位置上，以使得其与有源区终端分离的距离可由相应于柱形区的深度的距离减去N型柱形区的宽度的一半获得。因此，防止了电场集中在面对柱形结构的窄边区的特定部分上，从而提高了垂直型MOSFET的击穿电压。