公开(公告)号：CN103022095A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN103022095B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。