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公开(公告)号：CN115051128B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210802501.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
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公开(公告)号：CN105390576B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510553420.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L25/167 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－yAly)1－xAs(其中，0＜x≦0.2、0＜y＜1)；以及(n+1)层势垒层，与所述阱层交替地积层且包含Ga1－zAlzAs(其中，0＜z＜1)；且所述发光层发出具有700nm以上且870nm以下的峰值波长的光。
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公开(公告)号：CN102479904A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110248634.5
申请日：2011-08-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 实施方式涉及的半导体发光元件具备：发光体、第一电极层、第二电极层、焊盘电极和辅助电极部。发光体在一侧设有第一导电型的第一半导体层，在另一侧设有第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层和第二半导体层之间设有发光层。第一电极层在第二半导体层的与第一半导体层相反的一侧设置，且具有金属层和沿从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向贯通上述金属层的多个开口部。第二电极层与第一半导体层导通。焊盘电极与第一电极层导通。辅助电极部与第一电极层导通，且在与第一方向正交的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN114242693B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110080747.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够低成本制造的电子设备。实施方式的电子设备具备：第一基板；第一绝缘膜，设置在第一基板上；第一线圈，设置在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜上；第二线圈，以与第一线圈磁耦合的方式设置在第二绝缘膜中；第一连接导体，与所述第一线圈电连接；以及第二连接导体，与所述第二线圈电连接。所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在所述第一线圈和所述第二线圈磁耦合的区域相互接触。所述第一连接导体在所述第一绝缘膜的与所述第二绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第一线圈的端子连接。所述第二连接导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧、或者所述第二绝缘膜的与所述第一绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第二线圈的端子连接。
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公开(公告)号：CN116544224A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210863064.9
申请日：2022-07-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供在高温的工作环境具有高可靠性的半导体发光器件及光耦合器。实施方式的半导体发光器件具备：立方晶的砷化镓(GaAs)基板、设置于上述GaAs基板上的包含由组成式InxGa1‑xAs(0＜x＜1)表示的砷化铟镓(InGaAs)的发光层、以及位于上述GaAs基板与上述发光层之间、且设置于相对于上述立方晶的(100)面倾斜的上述GaAs基板的表面上的半导体多层膜。上述半导体多层膜包含在与上述GaAs基板的上述表面垂直的方向上交替层叠的第一层及第二层，上述第一层具有与上述第二层不同的组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115051128A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210802501.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
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公开(公告)号：CN113437461B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN113437461A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN113497007B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010894429.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。
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公开(公告)号：CN114242693A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110080747.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够低成本制造的电子设备。实施方式的电子设备具备：第一基板；第一绝缘膜，设置在第一基板上；第一线圈，设置在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜上；第二线圈，以与第一线圈磁耦合的方式设置在第二绝缘膜中；第一连接导体，与所述第一线圈电连接；以及第二连接导体，与所述第二线圈电连接。所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在所述第一线圈和所述第二线圈磁耦合的区域相互接触。所述第一连接导体在所述第一绝缘膜的与所述第二绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第一线圈的端子连接。所述第二连接导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧、或者所述第二绝缘膜的与所述第一绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第二线圈的端子连接。
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