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公开(公告)号：CN103403905A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009970.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , H01L29/16 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591
Abstract: 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
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公开(公告)号：CN101393779A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810215745.4
申请日：2008-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B5/14 , H01J17/04 , H01J9/02 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L31/022491 , G02F1/13439 , H01J2211/225 , H01L51/5234
Abstract: 本发明提供一种对光透明的金属电极，其是具备透明基板和具有多个开口部的金属电极层而构成的光透射型金属电极。该金属电极层无裂缝地连续，并且，未被上述开口部阻碍的连续的金属部位的直线距离小于等于所利用的可见光区域波长380nm～780nm的1/3的部位占全部面积的90％以上，平均开口部直径处于大于等于10nm、小于等于入射光的波长的1/3的范围，上述开口部的中心间间距处于大于等于平均开口部直径、小于等于入射光的波长的1/2的范围，进而上述金属电极层的膜厚处于大于等于10nm小于等于200nm的范围。
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公开(公告)号：CN101051663A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN103403905B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280009970.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , H01L29/16 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591
Abstract: 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
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公开(公告)号：CN102479904A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110248634.5
申请日：2011-08-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 实施方式涉及的半导体发光元件具备：发光体、第一电极层、第二电极层、焊盘电极和辅助电极部。发光体在一侧设有第一导电型的第一半导体层，在另一侧设有第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层和第二半导体层之间设有发光层。第一电极层在第二半导体层的与第一半导体层相反的一侧设置，且具有金属层和沿从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向贯通上述金属层的多个开口部。第二电极层与第一半导体层导通。焊盘电极与第一电极层导通。辅助电极部与第一电极层导通，且在与第一方向正交的第二方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393779B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810215745.4
申请日：2008-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B5/14 , H01J17/04 , H01J9/02 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L31/022491 , G02F1/13439 , H01J2211/225 , H01L51/5234
Abstract: 本发明提供一种对光透明的金属电极，其是具备透明基板和具有多个开口部的金属电极层而构成的光透射型金属电极。该金属电极层无裂缝地连续，并且，未被上述开口部阻碍的连续的金属部位的直线距离小于等于所利用的可见光区域波长380nm～780nm的1/3的部位占全部面积的90％以上，平均开口部直径处于大于等于10nm、小于等于入射光的波长的1/3的范围，上述开口部的中心间间距处于大于等于平均开口部直径、小于等于入射光的波长的1/2的范围，进而上述金属电极层的膜厚处于大于等于10nm小于等于200nm的范围。
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公开(公告)号：CN100524861C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1430290A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN105448929A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510552750.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/8229
CPC classification number: H01L29/518 , G11C11/5664 , G11C16/0483 , H01L27/285 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L51/0091 , H01L51/0591
Abstract: 本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。
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公开(公告)号：CN102947945A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201080065818.1
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构，其中：金属多孔膜位于光辐射侧；金属多孔膜与光电转换层直接接触；金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面；以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极，太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
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