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公开(公告)号：CN112531011B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010074517.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的数字隔离器，具有第一金属部、第一绝缘部、第二金属部、第三金属部及第一层。所述第一绝缘部设于所述第一金属部之上。所述第二金属部设于所述第一绝缘部之上。所述第三金属部具有第一部分、第二部分、以及第三部分。所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的方向上设于所述第一金属部的周围。所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上。所述第三部分设于所述第二部分之上，并在所述垂直的方向上设于所述第二金属部的周围。所述第一层设于所述第二部分的底部的周围，并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接。所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。
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公开(公告)号：CN115051128B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210802501.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
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公开(公告)号：CN114188295A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110010580.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 实施方式提供一种能够在连接多个芯片的同时降低俯视时的面积的半导体装置。半导体装置具备：第一芯片，在第一面设有第一电极以及第二电极，在位于所述第一面的相反侧的第二面设有第三电极；第二芯片，在第三面设有第四电极以及第五电极，在位于所述第三面的相反侧的第四面设有第六电极，所述第二芯片以所述第三面与所述第一面对置的方式配置；第一连接器，配置于所述第一电极与所述第四电极之间，并与所述第一电极以及所述第四电极连接；以及第二连接器，配置于所述第二电极与所述第五电极之间，并与所述第二电极以及所述第五电极连接。
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公开(公告)号：CN114171575A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110022129.2
申请日：2021-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 实施方式提供一种可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部分、终端绝缘膜、第一保护膜、第二电极、终端电极、第一绝缘膜、以及第二保护膜。所述半导体部分设于所述第一电极上。所述终端绝缘膜设于所述半导体部分上。所述第一保护膜设于所述终端绝缘膜上，包含硅以及氮。所述第二电极设于单元区域的所述半导体部分上。所述终端电极设于所述第一保护膜上，并与所述半导体部分连接。所述第一绝缘膜设于所述第一保护膜上，并配置于所述第二电极与所述终端电极之间。所述第一绝缘膜的上部配置于所述第二电极以及所述终端电极之上。所述第二保护膜覆盖所述第一绝缘膜上，包含硅以及氮。
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公开(公告)号：CN116779598A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210728746.9
申请日：2022-06-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 大黑达也
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 实施方式提供能够提高雪崩耐量的半导体装置，具备：基板，具有导电性，且具有第二厚度；第一芯片，包含与基板对置的第一面和位于第一面的相反侧的第二面，在第一面配置有与基板电连接的第一电极，在第二面配置有第二电极；第二芯片，包含与第二面对置的第三面和位于第三面的相反侧的第四面，在第三面配置有第三电极，在第四面配置有第四电极；第一连接器，配置于第二电极与第三电极之间，且与第二电极以及第三电极电连接；以及第二连接器，与基板以及第四电极电连接，且包含位于第二芯片的上方的第一部分，第一部分的第一厚度与第二厚度之差为第一厚度以及第二厚度中较大一方的20％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115841914A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210048286.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及绝缘器件以及隔离器。实施方式的绝缘器件具备：第一电感器，包含设置于第一平面内的第一线圈层；第二电感器，设置于所述第一平面内，包含中心轴位于所述第一线圈层的内侧的第二线圈层，并与所述第一电感器分离；以及绝缘层，设置于所述第一电感器与所述第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN115117027A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110878852.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 大黑达也
Abstract: 实施方式的隔离器具有下部电极、第一绝缘层、第二绝缘层、上部电极和低介电常数部。所述第一绝缘层设置于所述下部电极上，在上部具有突部。所述第二绝缘层设置于所述突部上，从所述突部的正上方区域向侧方延伸。所述第二绝缘层的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数高。所述上部电极与所述第二绝缘层的上表面接触。所述低介电常数部与所述突部的侧面以及所述第二绝缘层的下表面接触。所述低介电常数部的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数低。
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公开(公告)号：CN113497007B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010894429.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。
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公开(公告)号：CN111180514B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201910593769.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
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公开(公告)号：CN113497007A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010894429.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。
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