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发明公开
半导体发光器件及光耦合器审中-实审

公开(公告)号：CN116544224A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202210863064.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 菅原秀人 , 大塚洋昭 , 村上直树 , 镰仓孝信

IPC: H01L25/16 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L33/62

Abstract: 实施方式提供在高温的工作环境具有高可靠性的半导体发光器件及光耦合器。实施方式的半导体发光器件具备：立方晶的砷化镓(GaAs)基板、设置于上述GaAs基板上的包含由组成式InxGa1‑xAs(0＜x＜1)表示的砷化铟镓(InGaAs)的发光层、以及位于上述GaAs基板与上述发光层之间、且设置于相对于上述立方晶的(100)面倾斜的上述GaAs基板的表面上的半导体多层膜。上述半导体多层膜包含在与上述GaAs基板的上述表面垂直的方向上交替层叠的第一层及第二层，上述第一层具有与上述第二层不同的组成。

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