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公开(公告)号：CN114242693A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110080747.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够低成本制造的电子设备。实施方式的电子设备具备：第一基板；第一绝缘膜，设置在第一基板上；第一线圈，设置在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜上；第二线圈，以与第一线圈磁耦合的方式设置在第二绝缘膜中；第一连接导体，与所述第一线圈电连接；以及第二连接导体，与所述第二线圈电连接。所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在所述第一线圈和所述第二线圈磁耦合的区域相互接触。所述第一连接导体在所述第一绝缘膜的与所述第二绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第一线圈的端子连接。所述第二连接导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧、或者所述第二绝缘膜的与所述第一绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第二线圈的端子连接。
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公开(公告)号：CN114242693B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110080747.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够低成本制造的电子设备。实施方式的电子设备具备：第一基板；第一绝缘膜，设置在第一基板上；第一线圈，设置在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜上；第二线圈，以与第一线圈磁耦合的方式设置在第二绝缘膜中；第一连接导体，与所述第一线圈电连接；以及第二连接导体，与所述第二线圈电连接。所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在所述第一线圈和所述第二线圈磁耦合的区域相互接触。所述第一连接导体在所述第一绝缘膜的与所述第二绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第一线圈的端子连接。所述第二连接导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧、或者所述第二绝缘膜的与所述第一绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第二线圈的端子连接。
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公开(公告)号：CN104183628A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410031140.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 杉浦政幸
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78615 , H01L29/78654 , H01L29/0847 , H01L29/4232
Abstract: 本发明抑制高频半导体开关的耐压降低。根据一个实施方式，半导体装置设置有栅电极、源极区域以及漏极区域、体接触区域、体偏置控制电极。栅电极由以第1间隔并列配置的多个第1部分、和连接多个第1部分的第2部分构成，隔着栅极绝缘膜地设置。源极区域以及漏极区域设置于多个第1部分之间。相对第2部分在与源极区域以及漏极区域相反的一侧配置体接触区域。体偏置控制电极与第2部分并列，设置于体接触区域上，其与第2部分之间的第2间隔大于第1间隔，与体接触区域连接。
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公开(公告)号：CN100421352C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN03823274.X
申请日：2003-06-10
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 杉浦政幸
CPC classification number: H01L23/3677 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/665 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F3/189 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在第一和第二布线层(LY1、LY2)之间设置一个接地层(GND1)。设置在所述第一布线层(LY1)的第一晶体管(Q1)放大所提供的高频信号。设置在所述第一布线层(LY1)的第二晶体管(Q2)放大所述第一晶体管的输出信号。在所述第一布线层(LY1)设置向第一晶体管(Q1)提供电源的第一电源线(ML1)。在所述第二布线层(LY2)设置向第二晶体管(Q2)提供电源的第二电源线(ML2)。
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公开(公告)号：CN100557950C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610156226.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03F1/52 , H01L27/0251 , H03F2200/444
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，该功率放大器的特征在于，具备：有源元件，该有源元件具有使用了至少1个化合物半导体的异质结双极晶体管；二极管，该二极管以与基极·发射极间二极管反方向的方式被连接在上述双极晶体管的基极和发射极间；电阻，该电阻被串联连接在上述二极管和上述双极晶体管的基极之间；和偏压电路，该偏压电路被连接在上述二极管和上述电阻之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201283A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110051302.8
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/005 , H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。本发明的实施方式涉及的集成装置具备：基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；有源元件，形成在上述有源区域中；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。
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公开(公告)号：CN1992509A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610156226.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03F1/52 , H01L27/0251 , H03F2200/444
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，该功率放大器的特征在于，具备：有源元件，该有源元件具有使用了至少1个化合物半导体的异质结双极晶体管；二极管，该二极管以与基极·发射极间二极管反方向的方式被连接在上述双极晶体管的基极和发射极间；电阻，该电阻被串联连接在上述二极管和上述双极晶体管的基极之间；和偏压电路，该偏压电路被连接在上述二极管和上述电阻之间。
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公开(公告)号：CN103973330B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310350615.2
申请日：2013-08-13
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 杉浦政幸
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H01L23/66 , H01L24/06 , H01L2223/6677 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05093 , H01L2224/16225 , H01L2924/13091 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种高频半导体开关和半导体器件模块。在衬底上形成开关电路、控制电路、接地线和控制线。开关电路将天线端子与多个高频端子之一相连接。控制电路向开关电路输出控制信号。接地线设置在开关电路与控制电路之间，且从接近衬底边缘的位置延伸到接近衬底的相对边缘的位置。传送控制信号的控制线设置在接地线的一端与半导体衬底的边缘之间。
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公开(公告)号：CN103973330A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310350615.2
申请日：2013-08-13
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 杉浦政幸
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H01L23/66 , H01L24/06 , H01L2223/6677 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05093 , H01L2224/16225 , H01L2924/13091 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种高频半导体开关和半导体器件模块。在衬底上形成开关电路、控制电路、接地线和控制线。开关电路将天线端子与多个高频端子之一相连接。控制电路向开关电路输出控制信号。接地线设置在开关电路与控制电路之间，且从接近衬底边缘的位置延伸到接近衬底的相对边缘的位置。传送控制信号的控制线设置在接地线的一端与半导体衬底的边缘之间。
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公开(公告)号：CN102201283B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110051302.8
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/005 , H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。本发明的实施方式涉及的集成装置具备：基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；有源元件，形成在上述有源区域中；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。
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