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公开(公告)号：CN114242693A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110080747.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够低成本制造的电子设备。实施方式的电子设备具备：第一基板；第一绝缘膜，设置在第一基板上；第一线圈，设置在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜上；第二线圈，以与第一线圈磁耦合的方式设置在第二绝缘膜中；第一连接导体，与所述第一线圈电连接；以及第二连接导体，与所述第二线圈电连接。所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在所述第一线圈和所述第二线圈磁耦合的区域相互接触。所述第一连接导体在所述第一绝缘膜的与所述第二绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第一线圈的端子连接。所述第二连接导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧、或者所述第二绝缘膜的与所述第一绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第二线圈的端子连接。
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公开(公告)号：CN114242693B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110080747.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够低成本制造的电子设备。实施方式的电子设备具备：第一基板；第一绝缘膜，设置在第一基板上；第一线圈，设置在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜上；第二线圈，以与第一线圈磁耦合的方式设置在第二绝缘膜中；第一连接导体，与所述第一线圈电连接；以及第二连接导体，与所述第二线圈电连接。所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在所述第一线圈和所述第二线圈磁耦合的区域相互接触。所述第一连接导体在所述第一绝缘膜的与所述第二绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第一线圈的端子连接。所述第二连接导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧、或者所述第二绝缘膜的与所述第一绝缘膜接触的表面侧，与连着所述第二线圈的端子连接。
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公开(公告)号：CN1449057A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03107543.6
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7801 , H01L25/167 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1045 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7824 , H01L29/7825 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种MOSFET，可兼顾低导通阻抗和高耐压且输出电容(Cgd等)小。其形成了：p型基极层(4)；在该p型基极层(4)的表面选择形成的n型源极层(5)；与p型基极层(4)分离选择形成的(n)型漏极层(7)；在p型基极层(4)和n型漏极层(9)间的区域表面，从(p)型基极层(4)朝n型漏极层(9)形成的p型高阻抗半导体层(13′)或n型漂移层(12)和p型漂移层(13)，且这些半导体层交替重复排列着。在n型源极层(5)和n型漏极层(7)间的区域，经由栅极绝缘膜(14)形成栅极电极(15)。通过这种结构，在栅极、源极和漏极为0电位时，依靠n型漂移层(12)和p型漂移层(13)间或栅极电极的电势，栅极附近被耗尽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1901226A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610108461.6
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供场效应晶体管及其应用器件，可兼顾低导通阻抗和高耐压且输出电容(Cgd等)小。场效应晶体管具有：第1导电型的基极层，设置在绝缘衬底的表面上；第2导电型的源极层，选择性地形成在基极层的表面上；第2导电型的漏极层，形成在与第1导电型的基极层分离的绝缘衬底上；漂移层，形成在基极层和漏极层之间的区域；以及栅电极，间隔着栅极绝缘膜而形成在至少基极层的表面上；其中，漂移层具有大于基极层的阻抗，形成在基极层和漏极层之间；而且，栅电极被施加大于等于源极层和漏极层之间的耐压的栅极电压。通过这种结构，在栅极、源极和漏极为0电位时，依靠n型漂移层和p型漂移层间或栅极电极的电势，栅极附近被耗尽。
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公开(公告)号：CN1495916A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03149582.6
申请日：2003-07-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 本发明提供一种MEMS装置，尽量抑制噪声的产生且可以得到高的可靠性。其具备：发光电路(2)，含有发光元件(2a)、射出光；受光电路(5)，具有多个接受从上述发光电路射出的光、发生电压的受光元件(51、……、5n)串联连接的串联电路；及MEMS构造部(10)，被通过上述受光电路发生的电压驱动。
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公开(公告)号：CN100474625C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610108461.6
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供场效应晶体管及其应用器件，可兼顾低导通阻抗和高耐压且输出电容(Cgd等)小。场效应晶体管具有：第1导电型的基极层，设置在绝缘衬底的表面上；第2导电型的源极层，选择性地形成在基极层的表面上；第2导电型的漏极层，形成在与第1导电型的基极层分离的绝缘衬底上；漂移层，形成在基极层和漏极层之间的区域；以及栅电极，间隔着栅极绝缘膜而形成在至少基极层的表面上；其中，漂移层具有大于基极层的阻抗，形成在基极层和漏极层之间；而且，栅电极被施加大于等于源极层和漏极层之间的耐压的栅极电压。通过这种结构，在栅极、源极和漏极为0电位时，依靠n型漂移层和p型漂移层间或栅极电极的电势，栅极附近被耗尽。
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公开(公告)号：CN1309095C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03149582.6
申请日：2003-07-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 本发明提供一种MEMS装置，尽量抑制噪声的产生且可以得到高的可靠性。其具备：发光电路(2)，含有发光元件(2a)、射出光；受光电路(5)，具有多个接受从上述发光电路射出的光、产生电压的受光元件(51、……、5n)串联连接的串联电路；及MEMS构造部(10)，被通过上述受光电路产生的电压驱动；以及放电电路，该放电电路通过使上述发光电路停止射出光，使在上述受光电路的上述串联电路的两端产生的电压放电；其中，成为驱动部的发光元件电路和产生驱动电压的受光电路是电绝缘的。
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公开(公告)号：CN1276516C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03107543.6
申请日：2003-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7801 , H01L25/167 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1045 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7824 , H01L29/7825 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种MOSFET，可兼顾低导通阻抗和高耐压且输出电容(Cgd等)小。其形成了：p型基极层(4)；在该p型基极层(4)的表面选择形成的n型源极层(5)；与p型基极层(4)分离选择形成的(n)型漏极层(7)；在p型基极层(4)和n型漏极层(9)间的区域表面，从(p)型基极层(4)朝n型漏极层(9)形成的p型高阻抗半导体层(13′)或n型漂移层(12)和p型漂移层(13)，且这些半导体层交替重复排列着。在n型源极层(5)和n型漏极层(7)间的区域，经由栅极绝缘膜(14)形成栅极电极(15)。通过这种结构，在栅极、源极和漏极为0电位时，依靠n型漂移层(12)和p型漂移层(13)间或栅极电极的电势，栅极附近被耗尽。
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