-
公开(公告)号：CN115084326B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
-
公开(公告)号：CN116544224A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210863064.9
申请日：2022-07-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供在高温的工作环境具有高可靠性的半导体发光器件及光耦合器。实施方式的半导体发光器件具备：立方晶的砷化镓(GaAs)基板、设置于上述GaAs基板上的包含由组成式InxGa1‑xAs(0＜x＜1)表示的砷化铟镓(InGaAs)的发光层、以及位于上述GaAs基板与上述发光层之间、且设置于相对于上述立方晶的(100)面倾斜的上述GaAs基板的表面上的半导体多层膜。上述半导体多层膜包含在与上述GaAs基板的上述表面垂直的方向上交替层叠的第一层及第二层，上述第一层具有与上述第二层不同的组成。
-
公开(公告)号：CN115084326A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.028 seconds)
