公开(公告)号：CN105390576A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510553420.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本贤冶 ,  镰仓孝信

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L31/16

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L25/167 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L31/165

Abstract: 本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－yAly)1－xAs(其中，0＜x≦0.2、0＜y＜1)；以及(n+1)层势垒层，与所述阱层交替地积层且包含Ga1－zAlzAs(其中，0＜z＜1)；且所述发光层发出具有700nm以上且870nm以下的峰值波长的光。

公开(公告)号：CN105390576B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510553420.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本贤冶 ,  镰仓孝信

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L31/16

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L25/167 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－yAly)1－xAs(其中，0＜x≦0.2、0＜y＜1)；以及(n+1)层势垒层，与所述阱层交替地积层且包含Ga1－zAlzAs(其中，0＜z＜1)；且所述发光层发出具有700nm以上且870nm以下的峰值波长的光。