公开(公告)号：CN109502538A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810194325.6

申请日：2018-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 富泽英之 ,  斋藤友博 ,  藤本明 ,  久留井庆彦 ,  小岛章弘

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明涉及连接结构及其制造方法以及传感器。实施方式涉及插头与硅锗层的连接结构。提供能减小插头与硅锗层之间的接触电阻的连接结构。实施方式涉及的连接结构包含：具有导电性的插头(20)；将插头(20)的侧面覆盖的第1绝缘膜(21、22)；和在插头(20)的上表面上设置且包含多晶硅锗层(25)和非晶硅锗层(26)的电极(24)。多晶硅锗层(25)对于插头(20)的上表面的至少一部分没有经由非晶硅锗层(26)地接触。

公开(公告)号：CN102194954B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010520326.9

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  北川良太 ,  堤荣史 ,  浅川钢儿

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法。根据实施例的半导体发光器件包括衬底、化合物半导体层、具备特定开口的金属电极层、光提取层以及反电极。光提取层具有20至120nm的厚度，且至少部分地覆盖金属电极层的金属部分；或者光提取层具有褶皱结构，并至少部分地覆盖金属电极层的金属部分。褶皱结构具有凸起，该凸起被设置为它们的顶点之间的间距为100至600nm，且这些顶点从金属电极层的表面起算的高度为200至700nm。

公开(公告)号：CN102741988B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080031490.1

申请日：2010-05-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  旭化成电子材料株式会社

Inventor： 浅川钢儿 ,  北川良太 ,  藤本明 ,  白江良章 ,  赖末友裕 ,  池田章彦

IPC: H01L21/312 ,  C08F297/00 ,  C08L25/02 ,  C08L33/06 ,  C08L53/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/22

CPC classification number: C08L33/06 ,  C08F220/14 ,  C08F297/02 ,  C08L25/06 ,  C08L35/06 ,  C08L53/00 ,  C08L2205/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L2933/0091 ,  C08L2666/02 ,  C08F212/08

Abstract: 本发明提供能够直至光的波长程度稳定地形成图案的图案形成用树脂组合物、使用了该组合物的海岛结构图案的形成方法及实现高发光效率特性的发光元件的制造方法。一种图案形成用树脂组合物，其是包含(a)包含含芳香环的聚合物和聚(甲基)丙烯酸酯作为嵌段部分的规定的嵌段共聚物；(b)规定的含芳香环的聚合物的均聚物；以及(c)规定的聚(甲基)丙烯酸酯的均聚物的图案形成用树脂组合物，其中，含芳香环的均聚物(b)和聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为0质量％～90质量％，并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和含芳香环的均聚物(b)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量％～60质量％。

公开(公告)号：CN102709352A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210054850.0

申请日：2012-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  中西务 ,  中村健二 ,  益永久美 ,  浅川钢儿

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0288 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光电转换元件包括光电转换层以包括层叠的第一金属层、半导体层和第二金属层。此外，第一金属层和第二金属层中的至少一个是具有多个通孔的纳米网状金属或者具有多个彼此分开设置于半导体层上的金属点的点状金属。光电转换层包括长波长吸收层，该长波长吸收层包含的杂质不同于用于半导体层的p型掺杂和n型掺杂的杂质。长波长吸收层位于距离纳米网状金属或者点状金属5纳米内的深度。

公开(公告)号：CN100442556C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510098858.7

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  浅川钢儿 ,  大桥健一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。

公开(公告)号：CN1763983A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510106305.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅川钢儿 ,  藤本明 ,  杉山仁 ,  大桥健一 ,  铃木启之 ,  户野谷纯一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。

公开(公告)号：CN105321536A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410742709.9

申请日：2014-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩崎刚之 ,  藤本明

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/733 ,  G11B5/48

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/732

Abstract: 本发明提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。

公开(公告)号：CN105006238A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410454113.9

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村香里 ,  藤本明 ,  渡部彰

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 本发明的实施方式提供能够形成面内均匀性良好的周期性图案的图案形成方法和磁记录介质的制造方法。根据实施方式，能够提供一种图案形成方法，该方法包括：在基板上，向具有表面极性与该基板相近的第1保护基、且至少在表面具有选自Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Sn、Mo、Ta、W、Au、Ag、Pd、Cu、Pt、及其氧化物中的材料的微粒添加第2保护基和第2溶剂，调制第2分散液，并用该第2保护基修饰具有第1保护基的微粒的工序；向包含具有第1保护基和第2保护基的微粒的分散液添加粘度调整剂，调制微粒涂布液的工序；以及，涂布微粒涂布液，在基板上形成微粒层的工序。

公开(公告)号：CN104700850A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410742467.3

申请日：2014-12-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村香里 ,  及川壮一 ,  泷泽和孝 ,  藤本明 ,  竹尾昭彦

IPC: G11B5/84

Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制磁性粒子的粒径分散，具有良好的记录再生特性，能够高密度记录的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层之上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。基底层具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部。磁记录层包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离。

公开(公告)号：CN101393779A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810215745.4

申请日：2008-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堤荣史 ,  藤本明 ,  浅川钢儿

IPC: H01B5/14 ,  H01J17/04 ,  H01J9/02 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L31/022491 ,  G02F1/13439 ,  H01J2211/225 ,  H01L51/5234

Abstract: 本发明提供一种对光透明的金属电极，其是具备透明基板和具有多个开口部的金属电极层而构成的光透射型金属电极。该金属电极层无裂缝地连续，并且，未被上述开口部阻碍的连续的金属部位的直线距离小于等于所利用的可见光区域波长380nm～780nm的1/3的部位占全部面积的90％以上，平均开口部直径处于大于等于10nm、小于等于入射光的波长的1/3的范围，上述开口部的中心间间距处于大于等于平均开口部直径、小于等于入射光的波长的1/2的范围，进而上述金属电极层的膜厚处于大于等于10nm小于等于200nm的范围。