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公开(公告)号：CN101483062A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001620.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C2013/0078 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/74
Abstract: 一种电阻改变型存储器，包含：第一、第二和第三驱动线(L1、L2、L3)；电阻改变元件(MC)，其一端与第三驱动线(L3)相连接；第一二极管(D1)，具有与第一驱动线(L1)相连接的阳极和与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阴极；第二二极管(D2)，具有与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阳极和与第二驱动线(L2)相连接的阴极；以及驱动器/接收器(DS)，将写电流供给到电阻改变元件(MC)。写控制电路(CNT)被设置为使得当第一数据被写入时，使写电流按从第一驱动线(L1)到第三驱动线(L3)的方向流动，而当第二数据被写入时，使写电流按从第三驱动线(L3)到第二驱动线(L2)的方向流动。
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公开(公告)号：CN107689417B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN107204201B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201610811789.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本实施方式的磁存储器具有至少一个存储器单元，所述存储器单元具有：导电层，具有第1端子和第2端子；一个磁阻元件，被配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层、并且具有第1磁性层、配置在所述导电层与所述第1磁性层之间的第2磁性层、及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；二极管，对所述第1磁性层电连接有阳极以及阴极中的一方；以及晶体管，具有第3及第4端子和控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。
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公开(公告)号：CN102157190A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110085708.8
申请日：2009-01-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C2013/0078 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/74
Abstract: 一种电阻改变型存储器，包含：第一、第二和第三驱动线(L1、L2、L3)；电阻改变元件(MC)，其一端与第三驱动线(L3)相连接；第一二极管(D1)，具有与第一驱动线(L1)相连接的阳极和与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阴极；第二二极管(D2)，具有与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阳极和与第二驱动线(L2)相连接的阴极；以及驱动器/接收器(DS)，将写电流供给到电阻改变元件(MC)。写控制电路(CNT)被设置为使得当第一数据被写入时，使写电流按从第一驱动线(L1)到第三驱动线(L3)的方向流动，而当第二数据被写入时，使写电流按从第三驱动线(L3)到第二驱动线(L2)的方向流动。
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公开(公告)号：CN107689239B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106875969B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN107689239A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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公开(公告)号：CN101232073A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008901.X
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。
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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN107204201A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610811789.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本实施方式的磁存储器具有至少一个存储器单元，所述存储器单元具有：导电层，具有第1端子和第2端子；一个磁阻元件，被配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层、并且具有第1磁性层、配置在所述导电层与所述第1磁性层之间的第2磁性层、及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；二极管，对所述第1磁性层电连接有阳极以及阴极中的一方；以及晶体管，具有第3及第4端子和控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。
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