公开(公告)号：CN101232073A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008901.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  相川尚德 ,  吉川将寿 ,  下村尚治 ,  中山昌彦 ,  池川纯夫 ,  细谷启司 ,  长嶺真

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。

公开(公告)号：CN101154709A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710161358.2

申请日：2007-09-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  北川英二 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。

公开(公告)号：CN102176510A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110103692.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  北川英二 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。

公开(公告)号：CN101399313B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810215232.3

申请日：2008-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永瀬俊彦 ,  西山胜哉 ,  甲斐正 ,  中山昌彦 ,  长嶺真 ,  天野实 ,  吉川将寿 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件(10)包括：具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。

公开(公告)号：CN101546807A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127673.2

申请日：2009-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  吉川将寿 ,  永瀬俊彦 ,  大坊忠臣 ,  长岭真 ,  西山胜哉 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222

Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|×a1/2－a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。

公开(公告)号：CN101308901A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810109276.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  北川英二 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C7/22

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。

公开(公告)号：CN102176510B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201110103692.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  北川英二 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。

公开(公告)号：CN101399312B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810215231.9

申请日：2008-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永瀬俊彦 ,  吉川将寿 ,  北川英二 ,  西山胜哉 ,  大坊忠臣 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件以及磁性存储器。磁电阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。

公开(公告)号：CN100367352C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410006735.1

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  高岸雅幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G11B5/3932

Abstract: 一种磁阻磁头，包括沿磁道方向布置的第一磁屏蔽、第一绝缘膜、磁阻膜、第二绝缘膜和第二磁屏蔽。磁阻膜包括：邻近空气支承表面的磁化自由层、当从空气支承表面方向看时沿磁头高度方向离开磁化自由层的磁化钉扎层、以及连接该磁化自由层和磁化钉扎层的非磁性中间层，磁化自由层的磁化方向可以在外部磁场中旋转，而磁化钉扎层的磁化方向在外部磁场的作用下基本上被固定。

公开(公告)号：CN106062945A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076776.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  SK海力士公司

Inventor： 园田康幸 ,  中山昌彦 ,  李敏硕 ,  吉川将寿 ,  杉浦邦晃 ,  黄智焕

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。