公开(公告)号：CN106875969B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201610811820.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  下村尚治 ,  大泽裕一 ,  大坊忠臣 ,  井口智明 ,  白鸟聪志 ,  山百合 ,  上口裕三

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

公开(公告)号：CN106875969A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610811820.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  下村尚治 ,  大泽裕一 ,  大坊忠臣 ,  井口智明 ,  白鸟聪志 ,  山百合 ,  上口裕三

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。