公开(公告)号：CN101232073A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008901.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  相川尚德 ,  吉川将寿 ,  下村尚治 ,  中山昌彦 ,  池川纯夫 ,  细谷启司 ,  长嶺真

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。

公开(公告)号：CN1434455A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02148057.5

申请日：2002-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  浅尾吉昭 ,  齐藤好昭 ,  天野実 ,  高桥茂树 ,  岸达也 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76895 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。

公开(公告)号：CN1428786A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02157547.9

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  浅尾吉昭 ,  细谷启司 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5607

Abstract: 在读出位线(BLj)上连接了多个读出块(BKjn)。读出块(BKjn)具有串联在读出位线(BLj)和接地端子(VSS)之间的多个MTJ元件(12)。这些MTJ元件(12)层叠在半导体衬底上。读出位线(BLj)配置在层叠的多个MTJ元件(12)上。在读出块(BKjn)内的多个MTJ元件(12)的附近，存在沿着X方向延伸的写入字线(WWL3n、WWL3n+1、WWL3n+2)和沿着Y方向延伸的写入位线(BLj0、BLj1)。

公开(公告)号：CN1379473A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02107685.5

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  须之内一正

IPC: H01L27/02 ,  G11C11/14

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/224

Abstract: 存储单元部包括第1磁阻效应器件,以及与该第1磁阻效应器件成对配置在每一个单元、并将数据写入上述第1磁阻效应器件或从第1磁阻效应器件读出数据的第1电路;外围电路部包括控制第1电路的第2电路,第2电路的至少一部分配置在存储单元部的下部区域。

公开(公告)号：CN100476991C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02148057.5

申请日：2002-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  浅尾吉昭 ,  齐藤好昭 ,  天野実 ,  高桥茂树 ,  岸达也 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76895 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。

公开(公告)号：CN1215464C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02156070.6

申请日：2002-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/224

Abstract: 本发明涉及磁记录装置及其制造方法。本发明的磁记录装置包括：在1个单元上沿着与易磁化轴(s)方向相互不同的方向层积的，分别具有至少2个电阻值的磁阻效应元件(s)，和夹着上述磁阻效应元件(s)，在相互不同的方向上延伸的第1和第2配线。

公开(公告)号：CN1427396A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02156070.6

申请日：2002-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/224

Abstract: 本发明涉及磁记录装置及其制造方法。本发明的磁记录装置包括：在1个单元上沿着与易磁化轴(s)方向相互不同的方向层积的，分别具有至少2个电阻值的磁阻效应元件(s)，和夹着上述磁阻效应元件(s)，在相互不同的方向上延伸的第1和第2配线。

公开(公告)号：CN1345091B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN01141215.1

申请日：2001-09-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  G11C11/14

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/222

Abstract: 本发明的一个实施例，具备：根据电阻值的变化存储第1状态或第2状态的多个第1存储器件，上述第1存储器件分别具有一方端部和另一方端部，上述第1存储器件互相并列配置；分别连接到多个上述第1存储器件的上述一方端部的第1布线；与上述第1布线平行，分别连接到多个上述第1存储器件的上述另一方端部的第2布线；以及根据从上述第1布线或上述第2布线的一方，通过上述第1存储器件向上述第1布线或上述第2布线的另一方流过的电流，读出存储于上述第1存储器件的上述第1或第2状态。

公开(公告)号：CN1295707C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN02157013.2

申请日：2002-12-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司

IPC: G11C11/02 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/224

Abstract: 本发明涉及具有磁屏蔽层的磁存储器件及其制造方法。所述磁存储器件包括：第一线路层，它沿着第一方向延伸；存储元件，它设置在所述第一线路层上方；多个第二线路层，设置在所述存储元件上并且沿着与第一方向不同的第二方向延伸；以及第一屏蔽层，它形成在所述每个第二线路层的侧面和存储元件的侧面上。

公开(公告)号：CN1269134C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN02157547.9

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  浅尾吉昭 ,  细谷启司 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5607

Abstract: 在读出位线(BLj)上连接了多个读出块(BKjn)。读出块(BKjn)具有串联在读出位线(BLj)和接地端子(VSS)之间的多个MTJ元件(12)。这些MTJ元件(12)层叠在半导体衬底上。读出位线(BLj)配置在层叠的多个MTJ元件(12)上。在读出块(BKjn)内的多个MTJ元件(12)的附近，存在沿着X方向延伸的写入字线(WWL3n、WWL3n+1、WWL3n+2)和沿着Y方向延伸的写入位线(BLj0、BLj1)。