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公开(公告)号：CN111796220B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202010160188.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/02
Abstract: 提供能够提高检测灵敏度的磁传感器、传感器模块及诊断装置。根据实施方式，磁传感器包括第1元件、第1布线及第1磁性部。所述第1元件包括第1磁性层、第1对置磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第1对置磁性层之间的第1非磁性层。从所述第1对置磁性层向所述第1磁性层的方向沿着第1方向。所述第1布线在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第1磁性部包括第1区域及所述第1对置区域。所述第1布线的至少一部分在所述第1方向上位于所述第1区域与所述第1对置区域之间。
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公开(公告)号：CN107689232A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN100487793C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710091357.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/59655 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质包括：数据区域，其中将要记录数据；伺服区域，其中记录了用于定位记录/再现磁头的位置信号，该伺服区域设有地址部分，其中记录了地址信息，其中该地址部分具有由多列记录部分和设置在所述多个列之间的非记录部分配置的磁图案，所述多个列设置为在与记录磁道方向相交的方向上相互平行。
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公开(公告)号：CN101276602A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087956.4
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/74
CPC classification number: G11B5/855 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种嵌埋于磁性图案间的非磁性层其强度高的磁记录媒体(带图案的媒体)。该磁记录媒体其特征在于，包括：形成于基底上的软磁性层；由分开设置于所述软磁性层上的呈凸起状的铁磁性材料所形成的多个磁性图案；以及形成于所述多个磁性图案间的所述软磁性层上的、由同一材料所形成的大于等于2层的非磁性层。
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公开(公告)号：CN118412010A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310946167.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本公开提供能提高性能的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1～第4屏蔽件、第1～第4端子及第1磁性构件。第3屏蔽件包括第1、第2部分区域。第4屏蔽件包括第3、第4部分区域。在从第1屏蔽件向第2屏蔽件的第1方向上，第1磁性构件处于第1屏蔽件的一部分与第2屏蔽件的一部分之间。在与第1方向交叉的第2方向上，第1磁性构件处于第1部分区域与第3部分区域之间。第1屏蔽件的一部分在第2方向上处于第2部分区域与第4部分区域之间。
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公开(公告)号：CN107689239B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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公开(公告)号：CN106875969B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN107689239A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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