公开(公告)号：CN104465697A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410408858.1

申请日：2014-08-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  上田知正 ,  前田雄也 ,  三浦健太郎 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则 ,  山口一

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L2029/42388

Abstract: 一种显示设备，包括第一电极、第二电极、有机发光层、第一晶体管、以及第二晶体管。该第一晶体管包括第一半导体层、第一导电单元、第二导电单元、第一栅电极、以及第一栅绝缘膜。该第二晶体管包括第二半导体层、第三导电单元、第四导电单元、第二栅电极、以及第二栅绝缘膜。该第一栅绝缘膜内包含的氢的量大于该第二栅绝缘膜内包含的氢的量。

公开(公告)号：CN104064537A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410074863.3

申请日：2014-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  上田知正 ,  藤原郁夫 ,  山口一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括具有上表面的基板、设置在上表面上的基础绝缘层、以及薄膜晶体管。薄膜晶体管包括第一栅电极、第一、第二、和第三绝缘层、半导体层、以及第一和第二导电层。第一栅电极设置在基础绝缘层的一部分上。第一绝缘层覆盖第一栅电极和基础绝缘层。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且具有第一、第二、和第三部分。半导体层与位于第三部分上的第二绝缘层接触，并且具有第四、第五部分、和第六部分。第一导电层与第四部分接触。第二导电层与第五部分接触。第三绝缘层覆盖半导体层的一部分。

公开(公告)号：CN1574072A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061664.5

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永濑俊彦 ,  与田博明 ,  吉川将寿 ,  甲婓正 ,  岸达也 ,  相川尚德 ,  上田知正

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。

公开(公告)号：CN1503269A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。

公开(公告)号：CN102484135B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200980161251.5

申请日：2009-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  中野慎太郎 ,  齐藤信美 ,  原雄二郎 ,  内古闲修一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供一种薄膜晶体管，它包括：栅电极；半导体层，其面对栅电极设置并包括含有镓和锌中的至少一种以及铟的氧化物；栅绝缘膜，设置在栅电极和半导体层之间；以及源电极和漏电极，它们电连接到半导体层并彼此分隔开。半导体层包括三维地散布在半导体层中并具有原子排列周期性的多个微晶体。

公开(公告)号：CN104064566A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410078469.7

申请日：2014-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  上田知正 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  坂野龙则 ,  前田雄也 ,  山口一

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 根据一个实施例，显示器件包括基板单元、薄膜晶体管、像素电极、以及显示层。基板单元包括基板、设置在基板上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。薄膜晶体管设置在基板单元上，并且包括设置在第二绝缘层上的栅电极、与栅电极分开的具有氧化物的半导体层、设置在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘层、第一导电部分、第二导电部分、以及第三绝缘层。像素电极连接到选自第一和第二导电部分中的一个。显示层被配置成具有根据提供给像素电极的电荷而发生的光发射或者光学特性的变化。

公开(公告)号：CN103681872A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310085212.X

申请日：2013-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  坂野龙则 ,  上田知正 ,  山口一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和显示装置。根据一个实施例，显示装置包括薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括栅绝缘膜、半导体层、栅电极、第一和第二沟道保护膜、第一和第二导电层、和钝化膜。该半导体层被设置在该栅绝缘膜的主表面上。该半导体层包括第一到第七部分。该栅绝缘膜被部署在该半导体层和该栅电极之间。第一沟道保护膜覆盖第三部分。该第二沟道保护膜覆盖该第五部分和第四部分、以及第一沟道保护膜的上表面。该第一导电层覆盖第六部分。该第二导电层覆盖第七部分。该钝化膜覆盖该第一和第二部分、第一和第二导电层、以及第二沟道保护膜。

公开(公告)号：CN100362591C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN03108386.2

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸达也 ,  斉藤好昭 ,  上田知正 ,  與田博明

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/15 ,  Y10T29/49021

Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。

公开(公告)号：CN100342451C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03102768.7

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斉藤好昭 ,  西山勝哉 ,  高桥茂树 ,  天野実 ,  上田知正 ,  与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久 ,  岸逹也

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。

公开(公告)号：CN1476019A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03152413.3

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 舆田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  天野実 ,  岸逹也 ,  細谷啓司 ,  宫本順一

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。