公开(公告)号：CN101540328B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910128789.8

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石原贵光 ,  村冈浩一

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/7887 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；源区和漏区，其形成在该半导体衬底中，彼此分离并限定它们之间的沟道区；形成在沟道区上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的绝缘电荷存储膜；形成在绝缘电荷存储膜上使得在沟道方向上比绝缘电荷存储膜短的导电电荷存储膜；形成在导电电荷存储膜上的层间绝缘膜；和形成在层间绝缘膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN100379020C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410068603.1

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城 ,  石原贵光

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。是一种在把金属氧化物等用做栅极绝缘膜的场效应晶体管中，栅极绝缘膜是包括在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜、第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜和在第2绝缘膜上边形成的第3绝缘膜的至少3层的叠层；第2或第3绝缘膜含有金属，第2绝缘膜的介电系数比第1绝缘膜的介电系数与第3绝缘膜的介电系数之积的平方根还高的半导体器件。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。

公开(公告)号：CN107204201A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201610811789.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下村尚治 ,  浅尾吉昭 ,  石原贵光

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/18

Abstract: 本实施方式的磁存储器具有至少一个存储器单元，所述存储器单元具有：导电层，具有第1端子和第2端子；一个磁阻元件，被配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层、并且具有第1磁性层、配置在所述导电层与所述第1磁性层之间的第2磁性层、及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；二极管，对所述第1磁性层电连接有阳极以及阴极中的一方；以及晶体管，具有第3及第4端子和控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。

公开(公告)号：CN101540328A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128789.8

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石原贵光 ,  村冈浩一

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/7887 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；源区和漏区，其形成在该半导体衬底中，彼此分离并限定它们之间的沟道区；形成在沟道区上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的绝缘电荷存储膜；形成在绝缘电荷存储膜上使得在沟道方向上比绝缘电荷存储膜短的导电电荷存储膜；形成在导电电荷存储膜上的层间绝缘膜；和形成在层间绝缘膜上的栅电极。

公开(公告)号：CN1591903A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068603.1

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城 ,  石原贵光

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。是一种在把金属氧化物等用做栅极绝缘膜的场效应晶体管中，栅极绝缘膜是包括在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜、第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜和在第2绝缘膜上边形成的第3绝缘膜的至少3层的叠层；第2或第3绝缘膜含有金属，第2绝缘膜的介电系数比第1绝缘膜的介电系数与第3绝缘膜的介电系数之积的平方根还高的半导体器件。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。

公开(公告)号：CN107204201B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201610811789.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下村尚治 ,  浅尾吉昭 ,  石原贵光

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/18

Abstract: 本实施方式的磁存储器具有至少一个存储器单元，所述存储器单元具有：导电层，具有第1端子和第2端子；一个磁阻元件，被配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层、并且具有第1磁性层、配置在所述导电层与所述第1磁性层之间的第2磁性层、及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；二极管，对所述第1磁性层电连接有阳极以及阴极中的一方；以及晶体管，具有第3及第4端子和控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。