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公开(公告)号：CN106875969A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN103021430A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210224499.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/135
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/0937
Abstract: 本发明公开了光盘记录和再现装置以及方法。在记录和再现装置中，光盘（2）在旋转方向（R）上旋转，并且光学系统将激光束聚焦在光盘（1）上以在光盘（2）上形成束斑（20）。光学系统设置有扫描器，扫描器以束斑（20）跟随沿与旋转方向（R）相交的第一方向（22）的第一扫描轨迹和沿与第一方向（22）不同的第二方向（24）的第二扫描轨迹的方式沿光盘（2）的径向偏转激光束。在光盘（2）上形成并布置沿第一扫描轨迹具有一系列记录凹坑（16）的第一数据轨道。
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公开(公告)号：CN1167310A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的旋转阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和强磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和强磁性体层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。
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公开(公告)号：CN1106635C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中，软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件：∑(Ms×d×Hk)＞30〔T nm Oe〕，并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造，从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1182262A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中,软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件:∑(Ms×d×Hk)>30[TnmOe],并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造,从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN107689239B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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公开(公告)号：CN106875969B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN107689239A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710158433.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673
Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
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公开(公告)号：CN1083597C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁致电阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的自旋阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和铁磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和铁磁性体层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。
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