公开(公告)号：CN102983272A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210068710.9

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山中贵哉 ,  首藤晋 ,  浅尾吉昭

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。

公开(公告)号：CN100350499C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。

公开(公告)号：CN100350496C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02161137.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅尾吉昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/224

Abstract: 磁存储装置具备：第一存储器部和在第一方向与第一存储器部相邻并共用沿第一方向延伸的第一布线的第二存储器部，分别具有沿第二方向延伸的多个第二布线和第三布线、多个磁阻效应元件彼此串联连接的第一和第二存储元件部以及连接在第一和第二存储元件部一端上的第一和第二开关元件；第一和第二存储元件部分别在第一和第二布线之间以及第一和第三布线之间与上述布线间隔配置磁阻效应元件。

公开(公告)号：CN1452174A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02151651.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸達也 ,  与田博明 ,  斉藤好昭 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  西山胜哉 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。

公开(公告)号：CN1442860A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN02161137.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅尾吉昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/224

Abstract: 磁存储装置具备：第一存储器部和在第一方向与第一存储器部相邻并共用沿第一方向延伸的第一布线的第二存储器部，分别具有沿第二方向延伸的多个第二布线和第三布线、多个磁阻效应元件彼此串联连接的第一和第二存储元件部以及连接在第一和第二存储元件部一端上的第一和第二开关元件；第一和第二存储元件部分别在第一和第二布线之间以及第一和第三布线之间与上述布线间隔配置磁阻效应元件。

公开(公告)号：CN1433020A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03102766.0

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸逹也 ,  天野実 ,  齐藤好昭 ,  高橋茂樹 ,  西山勝哉 ,  浅尾吉昭 ,  與田博明 ,  上田知正 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。

公开(公告)号：CN101483062A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910001620.6

申请日：2009-01-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下村尚治 ,  浅尾吉昭

IPC: G11C11/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74

Abstract: 一种电阻改变型存储器，包含：第一、第二和第三驱动线(L1、L2、L3)；电阻改变元件(MC)，其一端与第三驱动线(L3)相连接；第一二极管(D1)，具有与第一驱动线(L1)相连接的阳极和与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阴极；第二二极管(D2)，具有与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阳极和与第二驱动线(L2)相连接的阴极；以及驱动器/接收器(DS)，将写电流供给到电阻改变元件(MC)。写控制电路(CNT)被设置为使得当第一数据被写入时，使写电流按从第一驱动线(L1)到第三驱动线(L3)的方向流动，而当第二数据被写入时，使写电流按从第三驱动线(L3)到第二驱动线(L2)的方向流动。

公开(公告)号：CN1503269A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。

公开(公告)号：CN1434455A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02148057.5

申请日：2002-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  浅尾吉昭 ,  齐藤好昭 ,  天野実 ,  高桥茂树 ,  岸达也 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76895 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。

公开(公告)号：CN1428786A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02157547.9

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  浅尾吉昭 ,  细谷启司 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5607

Abstract: 在读出位线(BLj)上连接了多个读出块(BKjn)。读出块(BKjn)具有串联在读出位线(BLj)和接地端子(VSS)之间的多个MTJ元件(12)。这些MTJ元件(12)层叠在半导体衬底上。读出位线(BLj)配置在层叠的多个MTJ元件(12)上。在读出块(BKjn)内的多个MTJ元件(12)的附近，存在沿着X方向延伸的写入字线(WWL3n、WWL3n+1、WWL3n+2)和沿着Y方向延伸的写入位线(BLj0、BLj1)。