公开(公告)号：CN108780659A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013131.5

申请日：2017-02-09

Applicant: ARM有限公司

Inventor： 巴尔·S·桑德胡 ,  塞扎里·皮耶奇克 ,  罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/08 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/062 ,  G11C7/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/471 ,  H03F2203/45044

Abstract: 概括地说，本技术的实施例提供了一种放大电路，所述放大电路包括读出放大器和被配置为向读出放大器提供信号的至少一个相关电子开关(CES)。所述读出放大器根据所述CES元件提供的信号来输出放大版本的输入信号。所述CES元件提供的信号取决于所述CES材料的状态。所述CES元件向所述读出放大器提供稳定的阻抗，这可以提高从位线读取数据的可靠性，并减少读取期间引入的误差的数量。

公开(公告)号：CN105304125B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510213938.6

申请日：2015-04-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·林 ,  C·德雷 ,  A·罗伊 ,  L·魏 ,  F·哈姆扎奥卢

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0057 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078

Abstract: 本发明描述了用于提高电阻式存储器能量效率和可靠性的装置和方法。装置可以包括耦合到导电线路的电阻式存储器单元。装置还可以包括耦合到导电线路的驱动器，其用于在写入操作期间驱动用于电阻式存储器单元的电流。可以在写入操作期间在两个或更多时间段内选择性地增大驱动器的电阻，以检测导电线路上的电压变化。在检测到电压变化时，可以关断用于写入操作的电流以提高电阻式存储器能量效率和可靠性。

公开(公告)号：CN108140413A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059062.7

申请日：2016-08-12

Applicant: ARM有限公司

Inventor： 罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/005 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15

Abstract: 公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。在一个实施例中，通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将非易失性存储器设备置于多个存储器状态中的任一存储器状态中。例如，写入操作可在非易失性存储器设备的端子上施加具有特定电流和特定电压的编程信号以用于将非易失性存储器设备置于特定存储器状态。

公开(公告)号：CN106887251A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610394558.1

申请日：2016-05-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体国际有限公司

Inventor： M·帕索蒂 ,  M·卡里希米 ,  V·拉纳

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C2013/0078

Abstract: 一种集成电路包括相变存储器(PCM)单元、耦合至PCM单元的阵列的位线。集成电路还包括第一解码器电路，具有多个晶体管，其具有第一导电型、耦合在一起并耦合至多个位线中给定位线、配置为将程序电流脉冲注入选择的PCM单元。另外，集成电路包括第二解码器电路，具有多个晶体管，其具有第二导电型、耦合在一起并耦合至给定位线、配置为在程序电流脉冲结束时给给定位线放电。

公开(公告)号：CN106373606A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510669711.2

申请日：2015-10-13

Applicant: 华邦电子股份有限公司

Inventor： 陈达 ,  林孟弘 ,  王炳琨 ,  廖绍憬 ,  周诠胜

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092

Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。重置脉冲及设定脉冲的极性相反。另外，一种电阻式存储器装置也被提出。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。

公开(公告)号：CN102893336B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180023083.0

申请日：2011-05-10

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 金正丕 ,  哈里·M·拉奥

IPC: G11C11/16 ,  G11C13/00 ,  G11C29/02

CPC classification number: G11C29/02 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1697 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/025 ,  G11C29/12005 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2029/1204

Abstract: 本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。

公开(公告)号：CN102077292B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200980124526.8

申请日：2009-06-26

Applicant: 桑迪士克3D公司

Inventor： 罗伊·E·朔伊尔莱因 ,  颜天鸿

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3481 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种存储系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个可逆电阻切换元件的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于限制用于可逆电阻切换元件的设置电流的电路。存储器单元以反向偏压的方式被设置。

公开(公告)号：CN104272394A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380021409.5

申请日：2013-03-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 斯科特·E·西里斯

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/005 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C14/00 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092

Abstract: 各种实施例包括具有若干个存储器单元的设备，所述设备包含：驱动电路，其用以提供选定持续时间及/或振幅的信号脉冲；以及电阻改变存储器单元阵列，其电耦合到所述驱动电路。可基于所述所接收信号脉冲针对保持时间周期及操作速度的范围编程所述电阻改变存储器单元。描述额外设备及方法。

公开(公告)号：CN102203868B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980143448.6

申请日：2009-10-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 马炎涛 ,  刘峻

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5607 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 本发明包含具有电阻式存储器单元的电阻式存储器装置及系统以及用于操作所述电阻式存储器单元的方法。一个存储器装置实施例包含至少一个电阻式存储器元件、编程电路及感测电路。举例来说，所述编程电路可包含经配置以选择N个编程电流中的一者用于编程所述至少一个电阻式存储器元件的开关，其中所述N个编程电流中的每一者具有电流方向与量值的唯一组合，其中N对应于所述至少一个存储器元件的电阻状态的数目。在一个或一个以上实施例中，所述感测电路可被布置用于所述N个电阻状态的感测。

公开(公告)号：CN101911206B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200880122646.X

申请日：2008-11-05

Applicant: 桑迪士克3D公司

Inventor： T·库玛尔

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C11/5685 ,  G11C11/5692 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种编程非易失性存储器件的方法，包括(i)提供包含有与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元，(ii)施加第一正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第一状态变化到第二状态；(iii)施加第二正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第二状态变化到第三状态；以及(iv)施加第三正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第三状态变化到第四状态。第四电阻率状态高于第三电阻率状态，第三电阻率状态低于第二电阻率状态，而第二电阻率状态低于第一电阻率状态。