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公开(公告)号：CN107689417B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN101064114A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102315.7
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁存储器，即使进行微观化也具有热稳定性，并且可以用低电流密度实现磁记录层的磁化反转。该磁阻效应元件具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化方向可变的磁化自由层；设置在磁化固定层与磁化自由层之间的隧道绝缘层；设置在磁化固定层的、与隧道绝缘层相反的一侧的第1反铁磁性层；以及设置在磁化自由层的、与隧道绝缘层相反的一侧，并且膜厚比第1反铁磁性层薄的第2反铁磁性层，其中，通过向磁化自由层注入自旋极化后的电子，可以使磁化自由层的磁化方向反转。
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公开(公告)号：CN1811984A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610002435.5
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/吸收器，该驱动器/吸收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
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公开(公告)号：CN107689232A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN100481518C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510078194.8
申请日：2005-06-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/82 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08 , H03K19/173
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01L29/66984 , Y10S977/932 , Y10S977/933 , Y10S977/936
Abstract: 一种自旋晶体管，包括第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个，所述第二方向与所述第一方向反平行。该自旋晶体管还包括沟道区，该沟道区位于第一导电层和第二导电层之间且由半导体构成，并且在第一导电层和第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于沟道区和第一导电层及第二导电层中的二者至少一个之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841768A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071020.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/115 , H01L29/66984 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。
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公开(公告)号：CN1713400A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510078194.8
申请日：2005-06-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/82 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08 , H03K19/173
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01L29/66984 , Y10S977/932 , Y10S977/933 , Y10S977/936
Abstract: 一种自旋晶体管，包括第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个，所述第二方向与所述第一方向反平行。该自旋晶体管还包括沟道区，该沟道区位于第一导电层和第二导电层之间，并且在第一导电层和第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于沟道区和第一导电层及第二导电层中的二者至少一个之间。
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公开(公告)号：CN107689232B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN102148055B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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