公开(公告)号：CN1356729A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01139485.4

申请日：2001-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 碓氷康典 ,  上月繁雄

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7811

Abstract: 半导体器件具有在沟槽型的多个器件隔离区域之间形成的NPN(或PNP)横向3层柱状物,在3层柱状物的上表面上具有源极和栅极,在下表面上具有漏极。器件隔离区域的深度DT和其最小平面宽度WTmin和3层柱状物的宽度WP,被构成为满足3.75≤DT/WP≤60或者5.5≤DT/WTmin≤14.3这样的关系。采用这样的构成,可以实现高的耐压和低的导通电阻。

公开(公告)号：CN1237604C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

公开(公告)号：CN1557022A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818359.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 都鹿野健一 ,  齐藤芳彦 ,  上月繁雄 ,  碓氷康典 ,  泉泽优 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n－型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。

公开(公告)号：CN100452430C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510069678.6

申请日：2005-05-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 相田聪 ,  上月繁雄 ,  柳泽晓 ,  泉泽优 ,  吉冈裕典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件(功率MISFET)，包括：第1导电型的半导体区域；第2导电型的半导体基极区域；柱状区域；设置于所述基极区域上的第1导电型的第一主电极区域；至少连接到所述半导体区域和所述柱状区域的一部分上的第二主电极区域；控制电极；以及连接到控制电极的电极焊盘。所述柱状区域包括第1导电型的第一区域和第2导电型的第二区域，未延长到所述电极焊盘下。此外，还提供一种MISFET的制造方法。根据本发明的功率MISFET，在实现开关的高速化的同时，也不降低MISFET的雪崩抗压。

公开(公告)号：CN1331238C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02818359.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 都鹿野健一 ,  齐藤芳彦 ,  上月繁雄 ,  碓氷康典 ,  泉泽优 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n-型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。

公开(公告)号：CN1812129A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510135767.6

申请日：2005-12-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上月繁雄 ,  奥村秀树 ,  斎藤涉 ,  泉沢优 ,  盐见正彦 ,  小林仁 ,  都鹿野健一 ,  柳泽晓 ,  吉冈裕典 ,  木村学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7811

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的结构是，在成为多个MOSFET单元的公用漏极的第一导电型半导体衬底上，形成具有比该半导体衬底低的杂质浓度的中间半导体层。在此中间半导体层上，形成由具有比中间半导体层低的杂质浓度的第一导电型半导体区域构成的基柱区域。

公开(公告)号：CN1694265A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510069678.6

申请日：2005-05-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 相田聪 ,  上月繁雄 ,  柳泽晓 ,  泉泽优 ,  吉冈裕典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体器件(功率MISFET)，包括：第1导电型的半导体区域；第2导电型的半导体基极区域；柱状区域；设置于所述基极区域上的第1导电型的第一主电极区域；至少连接到所述半导体区域和所述柱状区域的一部分上的第二主电极区域；控制电极；以及连接到控制电极的电极焊盘。所述柱状区域包括第1导电型的第一区域和第2导电型的第二区域，未延长到所述电极焊盘下。此外，还提供一种MISFET的制造方法。根据本发明的功率MISFET，在实现开关的高速化的同时，也不降低MISFET的雪崩抗压。

公开(公告)号：CN1193431C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01139485.4

申请日：2001-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 碓氷康典 ,  上月繁雄

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7811

Abstract: 半导体器件具有在沟槽型的多个器件隔离区域之间形成的NPN(或PNP)横向3层柱状物，在3层柱状物的上表面上具有源极和栅极，在下表面上具有漏极。器件隔离区域的深度(DT)和其最小平面宽度(WTmin)和3层柱状物的宽度(WP)，被构成为满足3.75≤DT/WP60或者5.5≤DT/WTmin≤14.3这样的关系。采用这样的构成，可以实现高的耐压和低的导通电阻。

公开(公告)号：CN1455446A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。