公开(公告)号：CN1557022A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818359.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 都鹿野健一 ,  齐藤芳彦 ,  上月繁雄 ,  碓氷康典 ,  泉泽优 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n－型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。

公开(公告)号：CN1356729A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01139485.4

申请日：2001-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 碓氷康典 ,  上月繁雄

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7811

Abstract: 半导体器件具有在沟槽型的多个器件隔离区域之间形成的NPN(或PNP)横向3层柱状物,在3层柱状物的上表面上具有源极和栅极,在下表面上具有漏极。器件隔离区域的深度DT和其最小平面宽度WTmin和3层柱状物的宽度WP,被构成为满足3.75≤DT/WP≤60或者5.5≤DT/WTmin≤14.3这样的关系。采用这样的构成,可以实现高的耐压和低的导通电阻。

公开(公告)号：CN1331238C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02818359.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 都鹿野健一 ,  齐藤芳彦 ,  上月繁雄 ,  碓氷康典 ,  泉泽优 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n-型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。

公开(公告)号：CN1193431C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01139485.4

申请日：2001-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 碓氷康典 ,  上月繁雄

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7811

Abstract: 半导体器件具有在沟槽型的多个器件隔离区域之间形成的NPN(或PNP)横向3层柱状物，在3层柱状物的上表面上具有源极和栅极，在下表面上具有漏极。器件隔离区域的深度(DT)和其最小平面宽度(WTmin)和3层柱状物的宽度(WP)，被构成为满足3.75≤DT/WP60或者5.5≤DT/WTmin≤14.3这样的关系。采用这样的构成，可以实现高的耐压和低的导通电阻。