公开(公告)号：CN1237604C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

公开(公告)号：CN1430289A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02160870.9

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  斋藤涉 ,  山口正一 ,  大村一郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种半导体器件包括一层形成于第一导电类型的半导体层内的扩散区。该扩散区包括分别为第一和第二导电类型的第一和第二杂质扩散区。该扩散区所具有的第一和第二区由第一和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定，在第一区与第二区之间的结被形成于其中第一和第二杂质扩散区彼此重叠的部分中。第一或第二区在半导体层的平面方向内杂质浓度的周期小于用于组成第一或第二区的第一和第二杂质扩散区在半导体层的平面方向内的最大宽度。

公开(公告)号：CN1455446A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

公开(公告)号：CN105990451B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510553416.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  土谷政信 ,  三泽宽人 ,  江崎朗

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。

公开(公告)号：CN105990451A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553416.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  土谷政信 ,  三泽宽人 ,  江崎朗

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0619

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。