公开(公告)号：CN100452430C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510069678.6

申请日：2005-05-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 相田聪 ,  上月繁雄 ,  柳泽晓 ,  泉泽优 ,  吉冈裕典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件(功率MISFET)，包括：第1导电型的半导体区域；第2导电型的半导体基极区域；柱状区域；设置于所述基极区域上的第1导电型的第一主电极区域；至少连接到所述半导体区域和所述柱状区域的一部分上的第二主电极区域；控制电极；以及连接到控制电极的电极焊盘。所述柱状区域包括第1导电型的第一区域和第2导电型的第二区域，未延长到所述电极焊盘下。此外，还提供一种MISFET的制造方法。根据本发明的功率MISFET，在实现开关的高速化的同时，也不降低MISFET的雪崩抗压。

公开(公告)号：CN1812129A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510135767.6

申请日：2005-12-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上月繁雄 ,  奥村秀树 ,  斎藤涉 ,  泉沢优 ,  盐见正彦 ,  小林仁 ,  都鹿野健一 ,  柳泽晓 ,  吉冈裕典 ,  木村学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7811

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的结构是，在成为多个MOSFET单元的公用漏极的第一导电型半导体衬底上，形成具有比该半导体衬底低的杂质浓度的中间半导体层。在此中间半导体层上，形成由具有比中间半导体层低的杂质浓度的第一导电型半导体区域构成的基柱区域。

公开(公告)号：CN1694265A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510069678.6

申请日：2005-05-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 相田聪 ,  上月繁雄 ,  柳泽晓 ,  泉泽优 ,  吉冈裕典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体器件(功率MISFET)，包括：第1导电型的半导体区域；第2导电型的半导体基极区域；柱状区域；设置于所述基极区域上的第1导电型的第一主电极区域；至少连接到所述半导体区域和所述柱状区域的一部分上的第二主电极区域；控制电极；以及连接到控制电极的电极焊盘。所述柱状区域包括第1导电型的第一区域和第2导电型的第二区域，未延长到所述电极焊盘下。此外，还提供一种MISFET的制造方法。根据本发明的功率MISFET，在实现开关的高速化的同时，也不降低MISFET的雪崩抗压。