公开(公告)号：CN104064490A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310363069.6

申请日：2013-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 东真也 ,  佐藤慎哉 ,  佐久间智教 ,  大泽明彦 ,  小林浩秋 ,  山崎修 ,  西村博司

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/13

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置以及半导体晶片支架。根据一个实施方式，半导体晶片支架具有支承半导体晶片的第1保持区域部；以及包围第1保持区域并被支承于旋转体单元的第2保持区域部，第1保持区域部和第2保持区域部有阶差，在第1保持区域部中，在半导体晶片被支承于第1保持区域部时的半导体晶片的外缘的位置设置有多个通气孔。

公开(公告)号：CN1455446A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

公开(公告)号：CN1237604C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

公开(公告)号：CN1430289A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02160870.9

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  斋藤涉 ,  山口正一 ,  大村一郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种半导体器件包括一层形成于第一导电类型的半导体层内的扩散区。该扩散区包括分别为第一和第二导电类型的第一和第二杂质扩散区。该扩散区所具有的第一和第二区由第一和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定，在第一区与第二区之间的结被形成于其中第一和第二杂质扩散区彼此重叠的部分中。第一或第二区在半导体层的平面方向内杂质浓度的周期小于用于组成第一或第二区的第一和第二杂质扩散区在半导体层的平面方向内的最大宽度。

公开(公告)号：CN1375880A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118560.3

申请日：2002-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  大泽明彦 ,  伊野孝佳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/744

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666

Abstract: 一种半导体器件,包括:形成在半导体衬底的背面侧的漏极区域;在漏极区域上形成且具有部分地在多个场所处在衬底主面上露出的部分的基极区域;一面与上述基极区域相接而另一面在衬底主面上露出的源极区域;栅极绝缘膜,实际仅在沟槽的侧壁上形成,该沟槽形成为从衬底主面开始在纵向上将底面配置在漏极区域中;栅极电极,埋置在沟槽内,形成在其上面位于比源极区域和基极区域的接合面更靠上部并且比衬底主面低的位置处;埋置绝缘膜,埋置在沟槽中未埋置栅极电极的部分中。