公开(公告)号：CN116755264B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310741896.8

申请日：2023-06-20

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  王宇婷 ,  李杰 ,  杨定宇 ,  彭穗 ,  刘波 ,  吴文娟 ,  潘雨东 ,  王灵之 ,  刘肖

IPC: G02F1/09 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑VO2波导的磁光‑热光调控方法，涉及IF位移调控领域，包括以下步骤S1：引入拉盖尔‑高斯光束；S2：线偏振光束在介质的界面处发生折射和反射时，使线偏振光束的左旋、右旋圆偏振分量相互分离；S3：计算线偏振拉盖尔‑高斯光束的角谱分量；S4：通过平面波角谱分析法，建立入射光束和反射光束角谱分量之间的关系；S5：计算实际光束的左旋与右旋偏振角谱分量；S6：通过Drude模型描述太赫兹波段的石墨烯及VO2介电张量矩阵；S7：计算结构的反射系数；S8：代入IF位移公式，实现对拉盖尔‑高斯光束的IF位移仿真，本发明采用上述方法，实现磁场和温度对IF位移的有效调制，为开发高灵敏度的光学传感器和参数的灵敏检测提供了新途径。

公开(公告)号：CN117362034A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN116573936B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310850114.4

申请日：2023-07-12

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  陶红 ,  赵林 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。

公开(公告)号：CN111548157B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202010334753.1

申请日：2020-04-24

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  吴文娟 ,  陈敏

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明公开了一种基于双位掺杂的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法与应用，所述无铅电致伸缩陶瓷组分组成如下述通式所示:(1‑x‑y)(K0.6Na0.4)NbO3‑xNaSbO3‑yBi0.7Na0.5ZrO3‑aFe2O3表示，通式中的x、y、a取值分别为：0.05≤x≤0.09，0.01≤y≤0.05，0.001≤a≤0.01。本发明所制备的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷具有良好的优异的电致伸缩应变、电致伸缩系数和温度稳定性，其电致伸缩应变可达0.1％、电致伸缩系数可达0.047m4/C2，且电致伸缩系数在室温至180℃的宽温区内保持稳定，可在驱动器和微位移控制器等电子器件中获得应用，对取代铅基电致伸缩材料具有重大意义。

公开(公告)号：CN119822817A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510185805.6

申请日：2025-02-20

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  杨强 ,  吴波 ,  罗莉 ,  肖齐龙 ,  杨旭奕 ,  王东铂 ,  黄椿

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数、耐高温老化的压电陶瓷及制备方法，属于压电陶瓷技术领域。高机械品质因数、耐高温老化的压电陶瓷的化学通式为(Bi0.5Na0.44K0.04Li0.02)(Ti1‑xCox)O3，0.01

公开(公告)号：CN118896911B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202410962186.2

申请日：2024-07-17

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 李杰 ,  邹雨欣 ,  罗莉 ,  丁佳跞 ,  陈柏宇 ,  刘波 ,  彭穗 ,  吴文娟 ,  杨旭 ,  杨雨婷 ,  董浩

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/01 ,  G01N21/3581

Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，属于偏振态检测领域，包括以下步骤：S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位，并计算全斯托克斯参数的理论值；S2、构建超构表面的仿真模型，并计算全斯托克斯参数的仿真值；S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比，对全斯托克斯参数的理论值进行验证；S4、制备超构表面样品，计算全斯托克斯参数的实验值；S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比，以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。

公开(公告)号：CN118731016A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410718351.X

申请日：2024-06-04

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  周玲 ,  霍佳慧 ,  王宇婷 ,  李杰 ,  杨定宇 ,  彭穗 ,  刘波 ,  吴文娟 ,  潘雨东 ,  杨雨婷

IPC: G01N21/84 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，属于光自旋霍尔效应调控领域，包括以下步骤：S1、仿真实验验证：S11、制备VO2薄膜样品；S12、求解样品的反射系数；S13、求解相变前后VO2薄膜样品表面光自旋霍尔效应的横移值；S2、实验验证：S21、搭建实验平台；S22、预热后，设定此时的光斑质心位置为初始位置；S23、绘制了光斑质心位置随温度变化的曲线；S3、交叉验证：判断利用温度调控VO2薄膜的光自旋霍尔效应的可行性。本发明采用上述基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，通过仿真、实验交叉验证了热光调控光自旋霍尔效应，为利用热致相变材料调控光学性质提供了新的途径。

公开(公告)号：CN118534681A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410595482.3

申请日：2024-05-14

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  王宇婷 ,  霍佳慧 ,  李杰 ,  杨定宇 ,  彭穗 ,  刘波 ,  吴文娟 ,  潘雨东 ,  王灵之 ,  刘肖

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G02B27/00

Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型：定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数，并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系，获得MIM超表面相位理论模型；S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构，构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构：利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变，介电常数随温度发生变化的性质，调节MIM结构的反射系数，实现温度对光自旋霍尔效应的调控；S3、利用仿真实验获取最佳结构参数：改变MIM结构参数，调整MIM超表面相位理论模型，并进行仿真实验，确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，通过在MIM超表面中引入活性物质VO2，实现了对光自旋霍尔效应的热光调控，所产生的PSHE位移变化值ΔH增加，为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。

公开(公告)号：CN117362034B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN119100786A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411292255.X

申请日：2024-09-14

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  王灵之 ,  吴文娟 ,  李俊杰 ,  杨旭 ,  潘雨东 ,  陈沁懿 ,  陈民汇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷化学通式为(K0.48Na0.52)NbO3‑xLa2O3，x表示氧化镧La2O3的摩尔数，x为0.005～0.04。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、称量原料；S2、对原料进行一次球磨；S3、对一次混合粉料进行预烧；S4、对预烧料进行二次球磨；S5、在二次混合粉料中加入聚乙烯醇水溶液进行造粒；S6、对造粒后的粉料进行过筛；S7、将细粉依次进行压片、排胶处理；S8、对陶瓷坯体进行烧结；S9、将陶瓷体镀银电极，施加电压进行极化。采用本发明所述的铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，获得致密性高、低介电损耗的透明铁电陶瓷材料，具有透光性与铁电性综合性能好的优点。