公开(公告)号：CN119822817A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510185805.6

申请日：2025-02-20

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  杨强 ,  吴波 ,  罗莉 ,  肖齐龙 ,  杨旭奕 ,  王东铂 ,  黄椿

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数、耐高温老化的压电陶瓷及制备方法，属于压电陶瓷技术领域。高机械品质因数、耐高温老化的压电陶瓷的化学通式为(Bi0.5Na0.44K0.04Li0.02)(Ti1‑xCox)O3，0.01

公开(公告)号：CN118955123A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411060790.2

申请日：2024-08-02

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  陈民汇 ,  罗莉 ,  李俊杰 ,  吴波 ,  陈沁懿 ,  刘洋 ,  肖齐龙 ,  杨旭奕 ,  杨强

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料，化学通式为：(Na0.3+xBi0.38‑0.2xSr0.28‑0.7x)(Ti1‑xNbx)O3，0≤x≤0.1。制备方法包括一次球磨，900℃预烧，二次球磨，造粒、筛分，细粉8MPa干压成型，550℃高温排胶，粗粉掩埋空气气氛下1100℃‑1130℃烧结，得到陶瓷电容器介质材料。采用本发明所述的宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，能够解决现有的钛酸铋钠基压电陶瓷介电稳定性差、低介电常数以及高损耗，制备工艺条件苛刻的问题。