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公开(公告)号:CN118896911B
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202410962186.2
申请日:2024-07-17
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N21/21 , G01N21/01 , G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法,属于偏振态检测领域,包括以下步骤:S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位,并计算全斯托克斯参数的理论值;S2、构建超构表面的仿真模型,并计算全斯托克斯参数的仿真值;S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比,对全斯托克斯参数的理论值进行验证;S4、制备超构表面样品,计算全斯托克斯参数的实验值;S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比,以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法,有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。
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公开(公告)号:CN118642211B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202410728039.9
申请日:2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法,属于光学器件领域,包括呈周期性排布的多个超单元,超单元由全硅介质制备,且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱,花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法,可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN118642211A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410728039.9
申请日:2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法,属于光学器件领域,包括呈周期性排布的多个超单元,超单元由全硅介质制备,且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱,花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法,可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN119100786A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411292255.X
申请日:2024-09-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷化学通式为(K0.48Na0.52)NbO3‑xLa2O3,x表示氧化镧La2O3的摩尔数,x为0.005~0.04。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷的制备方法,包括以下步骤:S1、称量原料;S2、对原料进行一次球磨;S3、对一次混合粉料进行预烧;S4、对预烧料进行二次球磨;S5、在二次混合粉料中加入聚乙烯醇水溶液进行造粒;S6、对造粒后的粉料进行过筛;S7、将细粉依次进行压片、排胶处理;S8、对陶瓷坯体进行烧结;S9、将陶瓷体镀银电极,施加电压进行极化。采用本发明所述的铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法,获得致密性高、低介电损耗的透明铁电陶瓷材料,具有透光性与铁电性综合性能好的优点。
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公开(公告)号:CN118896911A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202410962186.2
申请日:2024-07-17
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N21/21 , G01N21/01 , G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法,属于偏振态检测领域,包括以下步骤:S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位,并计算全斯托克斯参数的理论值;S2、构建超构表面的仿真模型,并计算全斯托克斯参数的仿真值;S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比,对全斯托克斯参数的理论值进行验证;S4、制备超构表面样品,计算全斯托克斯参数的实验值;S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比,以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法,有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。
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公开(公告)号:CN119882276A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510114400.3
申请日:2025-01-24
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法,属于光学器件领域,包括金属基底层、Si介质层以及周期设置于Si介质层顶端的超表面单元,超表面单元为由VO2与金属复合形成的手性结构;超表面单元包括由第一中间金属框架和第二中间金属框架组成的中间结构以及设置于中间结构两侧的侧部金属条,第一中间金属框架和第二中间金属框架的相背侧的中间位置均镶嵌有VO2,第一中间金属框架和第二中间金属框架的相对侧的中间位置均连接有金属凸起。采用上述基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法,实现了通过调整二氧化钒的电导率,使超表面能够调节入射光的偏振状态,实现动态可调谐的功能。
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