-
公开(公告)号：CN118896911B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202410962186.2
申请日：2024-07-17
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N21/21 , G01N21/01 , G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，属于偏振态检测领域，包括以下步骤：S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位，并计算全斯托克斯参数的理论值；S2、构建超构表面的仿真模型，并计算全斯托克斯参数的仿真值；S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比，对全斯托克斯参数的理论值进行验证；S4、制备超构表面样品，计算全斯托克斯参数的实验值；S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比，以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。
-
公开(公告)号：CN118642211B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410728039.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，属于光学器件领域，包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN118731016A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410718351.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，属于光自旋霍尔效应调控领域，包括以下步骤：S1、仿真实验验证：S11、制备VO2薄膜样品；S12、求解样品的反射系数；S13、求解相变前后VO2薄膜样品表面光自旋霍尔效应的横移值；S2、实验验证：S21、搭建实验平台；S22、预热后，设定此时的光斑质心位置为初始位置；S23、绘制了光斑质心位置随温度变化的曲线；S3、交叉验证：判断利用温度调控VO2薄膜的光自旋霍尔效应的可行性。本发明采用上述基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，通过仿真、实验交叉验证了热光调控光自旋霍尔效应，为利用热致相变材料调控光学性质提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN118534681A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410595482.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型：定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数，并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系，获得MIM超表面相位理论模型；S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构，构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构：利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变，介电常数随温度发生变化的性质，调节MIM结构的反射系数，实现温度对光自旋霍尔效应的调控；S3、利用仿真实验获取最佳结构参数：改变MIM结构参数，调整MIM超表面相位理论模型，并进行仿真实验，确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，通过在MIM超表面中引入活性物质VO2，实现了对光自旋霍尔效应的热光调控，所产生的PSHE位移变化值ΔH增加，为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。
-
公开(公告)号：CN116930082A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310882996.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种手性药物的光自旋弱测量系统及其参数优化方法，属于手性分子测量技术领域，包括导轨、氦氖激光器、半波片、第一透镜、第一格兰偏振镜、棱镜、第二透镜、第二格兰偏振镜和CCD，所述棱镜上设置有多层介质薄膜，所述CCD、所述第二格兰偏振镜、所述第二透镜、所述棱镜、所述第一格兰偏振镜、所述第一透镜、所述半波片和所述氦氖激光器依次设置在所述导轨上；还公开了一种手性药物的光自旋弱测量系统的参数优化方法。本发明通过上述结构和方法，解决了现有的检测方法所需时间长且检测过程中会破坏待测样品结构的问题和传统弱测量系统不在意系统参数对系统灵敏度和检出限的影响从而导致的测量结果不准确和无法测量少量手性分子的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116660185A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310646524.7
申请日：2023-06-02
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种多波长重金属离子溶液检测系统及其检测方法，包括测量平台、设置于测量平台上的光源机构和检测机构，光源机构和检测机构之间设置有用于盛放待测溶液的比色皿；光源机构包括沿光路依次设置的复合光源、分光模块和分光镜；检测机构包括依次相连的光电转换模块、双通道对数放大器、信号处理模块和PC端。本发明采用上述一种多波长重金属离子溶液检测系统及其检测方法，与市面上基于分光光度法的便携式重金属检测仪器作对比，光源成本更低、检测离子种类更多、检测时间及检出限等方面性能更优。与其他常规仪器相比，体积和成本也具有很大的优势。
-
公开(公告)号：CN115542432B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211163840.0
申请日：2022-09-23
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种金属‑电介质内嵌型超表面，包括呈单一渐变无源反射单元周期排布的超表面本体，所述超表面本体包括上下布置的顶层内嵌结构和底层反射铝镜。本发明采用上述结构的金属‑电介质内嵌型超表面，在平坦超表面等离子体结构的几何参数变化的基础上增加三维高度变化，产生等离子体模式的界面相移，这种平面光学器件可以模拟与传统光学器件闪耀光栅类似的分束功能，用于宽带反常偏转，有助于在整个可见光频率范围内外同时拥有光栅效应和等离子体相位梯度，进而实现在没有任何交叉偏振效应的情况下为不同的偏振出射波提供完全相反的相位梯度趋势，从而产生与特定光偏振相对应的完全不同方向的多功能反射光束分裂。
-
公开(公告)号：CN116312886A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310216027.3
申请日：2023-03-08
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种三维任意角度磁光光场分布计算系统、方法以及测试平台，属于三维任意角度磁光光场分布计算技术领域，系统包括信息处理模块和运算模块，本发明的方法利用转移矩阵与反射透射参数算法，对任意方向磁场作用下的磁光光场分布进行计算，利用三维旋转可调电磁铁搭建三维任意角度磁光光场光子测试光路对系统计算结果进行实验验证与分析，同时搭建了测试平台，在验证了计算方法的可行性，同时对计算结果进行优化与校准，提高了三维磁光光场的计算准确度，采用上述一种三维任意角度磁光光场分布计算系统、方法以及测试平台，拓展了三维磁光光场的计算手段，提高了三维磁光光场的运算效率，提高了三维磁光光场的计算准确度运算效率。
-
公开(公告)号：CN115436301B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211079811.6
申请日：2022-09-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N21/27 , G06N3/0499 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种基于BP神经网络混合离子浓度传感系统，包括多通道检测单元、数据处理单元、基于BP神经网络的分析单元以及显示单元，多通道检测单元通过通道选择器与数据处理单元相连接，数据处理单元与分析单元相连接，分析单元与显示单元相连接用于将分析结果进行显示。采用上述结构的一种基于BP神经网络混合离子浓度传感系统，多通道检测单元设置，攻克了检测中由于数据非线性带来的误差，提高了低浓度溶液的检测精度，增强了混合离子溶液中抗干扰性能，降低了系统的检出限，对比单波长单通道对混合离子溶液的检测效率和准确度，多通道多波长的检测方式都有明显的提高，而且实现了对混合溶液不同离子浓度的同时检测，减少检测时间。
-
公开(公告)号：CN115295718B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210979827.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种电流驱动光场调控装置，包括磁绝缘体异质结薄膜以及与磁绝缘体异质结薄膜的电极区域接触的重金属电极，重金属电极与电流注入模块的输出端电性连接，电流注入模块的输入端与用于输出正负脉冲的脉冲电源电性连接。本发明采用上述结构的电流驱动光场调控装置，无需外部强磁场的供给，因此可以大大减小体积，利于模块化的集成；并且调控驱动能量来自于外加的弱脉冲电流，主要磁调控反应是发生在样品内部，因此不存在磁场外泄造成干扰的问题；最后由于自旋轨道转矩的响应速度非常快(小于20ms)，且由于脉冲电流方向的高可控性，因此光场调控速度与施加电流脉冲的速度几乎一致。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.032 seconds)
