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公开(公告)号：CN119100786A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411292255.X
申请日：2024-09-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷化学通式为(K0.48Na0.52)NbO3‑xLa2O3，x表示氧化镧La2O3的摩尔数，x为0.005～0.04。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、称量原料；S2、对原料进行一次球磨；S3、对一次混合粉料进行预烧；S4、对预烧料进行二次球磨；S5、在二次混合粉料中加入聚乙烯醇水溶液进行造粒；S6、对造粒后的粉料进行过筛；S7、将细粉依次进行压片、排胶处理；S8、对陶瓷坯体进行烧结；S9、将陶瓷体镀银电极，施加电压进行极化。采用本发明所述的铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，获得致密性高、低介电损耗的透明铁电陶瓷材料，具有透光性与铁电性综合性能好的优点。
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公开(公告)号：CN118534681B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410595482.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型：定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数，并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系，获得MIM超表面相位理论模型；S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构，构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构：利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变，介电常数随温度发生变化的性质，调节MIM结构的反射系数，实现温度对光自旋霍尔效应的调控；S3、利用仿真实验获取最佳结构参数：改变MIM结构参数，调整MIM超表面相位理论模型，并进行仿真实验，确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，通过在MIM超表面中引入活性物质VO2，实现了对光自旋霍尔效应的热光调控，所产生的PSHE位移变化值ΔH增加，为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。
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公开(公告)号：CN118033930A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410169163.6
申请日：2024-02-06
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种Kretschmann结构及其角谱分量计算方法，属于磁光光自旋霍尔效应领域，包括Kretschmann结构本体、入射光源和反射光收集器，Kretschmann结构本体包括由上到下依次设置的棱镜、多层石墨烯薄膜和二氧化硅衬底，Kretschmann结构的上方和下方均设置有电磁线圈；入射光源和反射光收集器分置于棱镜的两侧，用于向棱镜发射涡旋光束。本发明采用上述结构的Kretschmann结构及其角谱分量计算方法，使用涡旋光束代替传统高斯光束为入射光，利用涡旋光束的光子具有螺旋轨道角动量的特性，实现对Kretschmann结构的磁光光自旋霍尔效应的调控。
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公开(公告)号：CN116755264A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310741896.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑VO2波导的磁光‑热光调控方法，涉及IF位移调控领域，包括以下步骤S1：引入拉盖尔‑高斯光束；S2：线偏振光束在介质的界面处发生折射和反射时，使线偏振光束的左旋、右旋圆偏振分量相互分离；S3：计算线偏振拉盖尔‑高斯光束的角谱分量；S4：通过平面波角谱分析法，建立入射光束和反射光束角谱分量之间的关系；S5：计算实际光束的左旋与右旋偏振角谱分量；S6：通过Drude模型描述太赫兹波段的石墨烯及VO2介电张量矩阵；S7：计算结构的反射系数；S8：代入IF位移公式，实现对拉盖尔‑高斯光束的IF位移仿真，本发明采用上述方法，实现磁场和温度对IF位移的有效调制，为开发高灵敏度的光学传感器和参数的灵敏检测提供了新途径。
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公开(公告)号：CN118586058B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410715815.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、构建线性传输琼斯矩阵；S2、基于线性传输琼斯矩阵，设定超单元结构的筛选规则；S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布；S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布，构建超表面单元；S5、基于筛选规则，筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度，相位从0到2π全覆盖的单元库；S6、基于单元库，利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，实现了在线偏振太赫兹光入射下，超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处，通过偏振叠加原理，从而实现不同偏振态的生成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118586058A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410715815.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、构建线性传输琼斯矩阵；S2、基于线性传输琼斯矩阵，设定超单元结构的筛选规则；S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布；S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布，构建超表面单元；S5、基于筛选规则，筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度，相位从0到2π全覆盖的单元库；S6、基于单元库，利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，实现了在线偏振太赫兹光入射下，超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处，通过偏振叠加原理，从而实现不同偏振态的生成。
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公开(公告)号：CN116755264B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310741896.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑VO2波导的磁光‑热光调控方法，涉及IF位移调控领域，包括以下步骤S1：引入拉盖尔‑高斯光束；S2：线偏振光束在介质的界面处发生折射和反射时，使线偏振光束的左旋、右旋圆偏振分量相互分离；S3：计算线偏振拉盖尔‑高斯光束的角谱分量；S4：通过平面波角谱分析法，建立入射光束和反射光束角谱分量之间的关系；S5：计算实际光束的左旋与右旋偏振角谱分量；S6：通过Drude模型描述太赫兹波段的石墨烯及VO2介电张量矩阵；S7：计算结构的反射系数；S8：代入IF位移公式，实现对拉盖尔‑高斯光束的IF位移仿真，本发明采用上述方法，实现磁场和温度对IF位移的有效调制，为开发高灵敏度的光学传感器和参数的灵敏检测提供了新途径。
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公开(公告)号：CN118642211B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410728039.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，属于光学器件领域，包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118534681A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410595482.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型：定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数，并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系，获得MIM超表面相位理论模型；S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构，构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构：利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变，介电常数随温度发生变化的性质，调节MIM结构的反射系数，实现温度对光自旋霍尔效应的调控；S3、利用仿真实验获取最佳结构参数：改变MIM结构参数，调整MIM超表面相位理论模型，并进行仿真实验，确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，通过在MIM超表面中引入活性物质VO2，实现了对光自旋霍尔效应的热光调控，所产生的PSHE位移变化值ΔH增加，为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。
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公开(公告)号：CN118642211A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410728039.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，属于光学器件领域，包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制，具有广泛的应用前景。
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