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公开(公告)号：CN116755264B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310741896.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑VO2波导的磁光‑热光调控方法，涉及IF位移调控领域，包括以下步骤S1：引入拉盖尔‑高斯光束；S2：线偏振光束在介质的界面处发生折射和反射时，使线偏振光束的左旋、右旋圆偏振分量相互分离；S3：计算线偏振拉盖尔‑高斯光束的角谱分量；S4：通过平面波角谱分析法，建立入射光束和反射光束角谱分量之间的关系；S5：计算实际光束的左旋与右旋偏振角谱分量；S6：通过Drude模型描述太赫兹波段的石墨烯及VO2介电张量矩阵；S7：计算结构的反射系数；S8：代入IF位移公式，实现对拉盖尔‑高斯光束的IF位移仿真，本发明采用上述方法，实现磁场和温度对IF位移的有效调制，为开发高灵敏度的光学传感器和参数的灵敏检测提供了新途径。
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公开(公告)号：CN116374982A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310148572.3
申请日：2023-02-22
Applicant: 深圳市依卓尔能源有限公司 , 成都信息工程大学
IPC: C01B25/45 , H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种橄榄石型磷酸锰铁锂及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：S1：将硝酸锂、硝酸铁、硝酸锰、磷酸二氢铵和有机物溶于去离子水中，得到混合溶液A；S2：将所述混合溶液A在恒温条件下搅拌T1时间，获得混合溶液B；S3：对所述混合液B进行加热蒸发，蒸干后胶状物进行燃烧反应获得棕黑色蓬松前驱体；S4：将所述前驱体研磨后，在保护性气体氛围下进行退火、冷却，获得所述橄榄石型磷酸锰铁锂。本发明能够制备得到橄榄石型磷酸锰铁锂，且制备方法操作简单、温度低、用料简单、材料整个制备流程耗时短、制备效率高、能耗低，磷酸锰铁锂晶相纯，粒度能够达到纳米级别，材料具有较好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN115036142B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210678291.4
申请日：2022-06-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明属于储能元件技术领域，公开了二氧化锰电极及其制备方法和应用。本发明以三维泡沫镍作为基底在NiSO4，Na2SO4混合溶液进行电还原，构筑了具有纳米核状结构的泡沫镍上还原镍基底(rNi Base)。随后再将rNi Base作为基底，在Na+，K+，NH4+三种不同一价阳离子预插层处理条件下分别电沉积二氧化锰，最终得到了具有特殊纳米菜花状结构的rNi/MnO2&Na+电极，该电极特殊的纳米结构提升了其电化学性能。
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公开(公告)号：CN115267470A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210719309.0
申请日：2022-06-23
Abstract: 本发明公开了一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，属于太赫兹探测器设计技术领域，包括如下步骤：构造全介质基底；获取单层石墨烯，并基于全介质基底构造单层石墨烯太赫兹热电探测器；利用X偏振太赫兹波验证单层石墨烯太赫兹热电探测器，得到温差电势和光电压信号；所述全介质基底由一个无任何图形的完整区域和一个特定图形化的超表面区域构成，超表面局域增强了石墨烯对太赫兹波的吸收，形成温差电势；本发明提供的探测器结构简单，不需要传统对称电极热电探测器对入射光斑位置进行精确操控，也不涉及到不对称电极热电探测器复杂的电极制备工艺。本发明受到“中央引导地方科技发展项目(编号：2021ZYD0039)”支持。
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公开(公告)号：CN113594269A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110894526.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都东骏激光股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种表面承载有组合多层膜的基板、X射线探测器及其制备方法，涉及氧化物光电功能膜材料领域。组合多层膜是指由PbO层和Ga2O3层组成的重复单元在一个重复频次内叠层构成的多层膜。发明人将PbO层和Ga2O3层进行组合，借助PbO层实现对X射线光子的强吸收，降低X射线探测器的材料厚度，Ga2O3层实现超低漏电流，通过组合多层膜同时实现对X射线光子的强吸收，降低X射线探测器的材料厚度，并达到超低漏电流指标。该组合多层膜同时满足了温度敏感的基板材料沉积用途。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326657B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010156155.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3/CsPb2Br5复合薄膜及其制备方法，其包括：(1)将CsPbBr3粉末置于坩埚中，通过真空蒸发镀膜工艺在基片制得薄膜样品；(2)将载有所述薄膜样品的基片取出并将其与滴加有DMSO液体的空白基片一同放入蒸发皿中，将蒸发皿密封后加热至100‑150℃，保温15‑20min后，解除密封，自然冷却至室温，制得CsPbBr3/CsPb2Br5复合薄膜。本发明采用CsPbBr3粉末，一种原料一步蒸发制得CsPbBr3和CsPb2Br5复合物薄膜，使制备工艺大大简化；并且在退火过程中，采用DMSO或DMF蒸汽辅助，150oC以下便可极大提高薄膜的结晶特性和光电响应特性，无需高温。
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公开(公告)号：CN111446369A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010177594.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了钙钛矿光伏电池器件及其制造方法，该钙钛矿光伏电池器件包括依次层叠的衬底、阳极、第一空穴传输层（PEDOT:PSS或氧化镍）、第二空穴传输层（导电有机化合物）、钙钛矿光吸收层、第一电子传输层（导电有机化合物（电子传输层1））、第二电子传输层（电子传输层2（Nb2O5））和阴极。本发明的钙钛矿光伏电池器件及其制备方法获得了较高的性能，且具备较低的加工成本和能够实现大面积加工，因而在钙钛矿光伏电池器件领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109735898A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811422854.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于真空热蒸发法的碘化铅多晶膜的制备方法，根据半导体清洗标准对ITO玻璃衬底置于去离子水中超声清洗15min—30min，再放入乙醇中进行超声清洗15min—30min，接着放入丙酮中超声清洗15min，然后使用惰性气体枪吹干，最好放入清洗机中清洗15min—30min，取出放入指定烘箱中在150℃—200℃烘烤3h备用；同时杜绝了加热源中可能存在的挥发性物质对多晶膜的污染，减少了多晶膜的缺陷；从而进一步提高了碘化铅多晶膜的各项性能指标。
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公开(公告)号：CN109461600A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811165849.9
申请日：2018-09-30
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明属于高比容电化学电容器电极制备技术领域，特别涉及一种导电聚合物基三元复合薄膜的制备方法。其制备方法主要分两步，(1)在聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚笨乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)骨架中原位生成纳米微粒，并将PEDOT：PSS/纳米微粒混合液旋涂在导电基底上形成前驱薄膜，(2)气相沉积法在前驱薄膜PEDOT：PSS/纳米微粒上沉积一层导电聚合物薄膜，形成PEDOT：PSS/纳米微粒/聚合物的三元复合薄膜。本发明制备的三元复合薄膜制备方法简单可控，具有大的比表面积，高的比容量以及低的等效串联电阻，可应用于高比容电化学电容器的电极，也可应用于太阳能电池、锂离子电池、电致变色器件等的电极。
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公开(公告)号：CN119143176B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411610267.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种氯氧铋与硫氮共掺杂碳量子点复合的钠离子电池负极材料及制备方法，属于钠离子电池负极材料制备技术领域。其中，制备方法包括步骤1：制备氯氧铋；步骤2：制备硫氮共掺杂碳量子点；步骤3：按硫氮共掺杂碳量子点与氯氧铋按照质量比为1:5～20的比例制备钠离子电池负极材料。由于该方法所制得的氯氧铋与硫氮共掺杂碳量子点复合的钠离子电池负极材料具有很好的比容量和循环稳定性。
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