基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法

    公开(公告)号:CN118896911B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202410962186.2

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法,属于偏振态检测领域,包括以下步骤:S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位,并计算全斯托克斯参数的理论值;S2、构建超构表面的仿真模型,并计算全斯托克斯参数的仿真值;S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比,对全斯托克斯参数的理论值进行验证;S4、制备超构表面样品,计算全斯托克斯参数的实验值;S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比,以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法,有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。

    太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件

    公开(公告)号:CN118586058B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202410715815.1

    申请日:2024-06-04

    Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件,属于光学器件领域,包括以下步骤:S1、构建线性传输琼斯矩阵;S2、基于线性传输琼斯矩阵,设定超单元结构的筛选规则;S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布;S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布,构建超表面单元;S5、基于筛选规则,筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度,相位从0到2π全覆盖的单元库;S6、基于单元库,利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件,实现了在线偏振太赫兹光入射下,超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处,通过偏振叠加原理,从而实现不同偏振态的生成。

    反对称手性超构表面及相位振幅调控的应用、验证方法

    公开(公告)号:CN119620252A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202510076661.0

    申请日:2025-01-16

    Abstract: 本发明公开了反对称手性超构表面及相位振幅调控的应用、验证方法,属于微纳光学领域,包括由上到下依次设置的表层、中间层和背板层,表层由左半圆环和右半圆环组成,其中左半圆环朝向右半圆环的一侧的两端均朝向圆心的方向弯折形成第一凸起和第二凸起,右半圆环朝向左半圆环的一侧的其中一端向圆心的方向弯折形成第三凸起,第三凸起与第一凸起关于圆心对称布置,且第三凸起的长度等于第一凸起的长度,第一凸起的长度大于第二凸起的长度。采用上述反对称手性超构表面及相位振幅调控的应用、验证方法,通过打破C2(二阶旋转)对称性及镜像对称性,不仅可以通过手性相位实现自旋解耦合相位控制,还能利用圆二色性来调节反射波的幅度。

    太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件

    公开(公告)号:CN118586058A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410715815.1

    申请日:2024-06-04

    Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件,属于光学器件领域,包括以下步骤:S1、构建线性传输琼斯矩阵;S2、基于线性传输琼斯矩阵,设定超单元结构的筛选规则;S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布;S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布,构建超表面单元;S5、基于筛选规则,筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度,相位从0到2π全覆盖的单元库;S6、基于单元库,利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件,实现了在线偏振太赫兹光入射下,超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处,通过偏振叠加原理,从而实现不同偏振态的生成。

    一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件

    公开(公告)号:CN116774322B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202310857256.3

    申请日:2023-07-13

    Abstract: 本发明公开了一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件,涉及超表面的太赫兹波操控研究技术领域,包括超表面器件、两个不同结构的超单元和双通道,两个不同结构的超单元集成到超表面器件,两个不同结构的超单元包括自旋解耦合结构和各向同性结构,双通道包括同极化通道和交叉极化通道。本发明利用超单元对光场双通道的调控作用,使两个通道在不同的偏振态入射时同时产生两束携带相反角量子数的圆偏振涡旋不同焦点的聚焦光束,在不同入射偏振状态间引入一个附加相位差,在不同焦平面上得到不同初始偏振角度的矢量光束,实现超表面器件在不同偏振通道中标量‑矢量光束、矢量标量光束、矢量‑矢量光束的空间切换。

    一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件

    公开(公告)号:CN116774322A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310857256.3

    申请日:2023-07-13

    Abstract: 本发明公开了一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件,涉及超表面的太赫兹波操控研究技术领域,包括超表面器件、两个不同结构的超单元和双通道,两个不同结构的超单元集成到超表面器件,两个不同结构的超单元包括自旋解耦合结构和各向同性结构,双通道包括同极化通道和交叉极化通道。本发明利用超单元对光场双通道的调控作用,使两个通道在不同的偏振态入射时同时产生两束携带相反角量子数的圆偏振涡旋不同焦点的聚焦光束,在不同入射偏振状态间引入一个附加相位差,在不同焦平面上得到不同初始偏振角度的矢量光束,实现超表面器件在不同偏振通道中标量‑矢量光束、矢量标量光束、矢量‑矢量光束的空间切换。

    基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法

    公开(公告)号:CN119882276A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510114400.3

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本发明公开了基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法,属于光学器件领域,包括金属基底层、Si介质层以及周期设置于Si介质层顶端的超表面单元,超表面单元为由VO2与金属复合形成的手性结构;超表面单元包括由第一中间金属框架和第二中间金属框架组成的中间结构以及设置于中间结构两侧的侧部金属条,第一中间金属框架和第二中间金属框架的相背侧的中间位置均镶嵌有VO2,第一中间金属框架和第二中间金属框架的相对侧的中间位置均连接有金属凸起。采用上述基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法,实现了通过调整二氧化钒的电导率,使超表面能够调节入射光的偏振状态,实现动态可调谐的功能。

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