公开(公告)号：CN117886601B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410060575.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈沁懿 ,  吴文娟 ,  吴波 ,  李俊杰 ,  罗莉 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  李露露

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。

公开(公告)号：CN117362034A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN117362034B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN117886601A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410060575.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈沁懿 ,  吴文娟 ,  吴波 ,  李俊杰 ,  罗莉 ,  蒋芮 ,  陈民汇

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。