公开(公告)号：CN117362034A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN117362034B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN118955123A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411060790.2

申请日：2024-08-02

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  陈民汇 ,  罗莉 ,  李俊杰 ,  吴波 ,  陈沁懿 ,  刘洋 ,  肖齐龙 ,  杨旭奕 ,  杨强

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料，化学通式为：(Na0.3+xBi0.38‑0.2xSr0.28‑0.7x)(Ti1‑xNbx)O3，0≤x≤0.1。制备方法包括一次球磨，900℃预烧，二次球磨，造粒、筛分，细粉8MPa干压成型，550℃高温排胶，粗粉掩埋空气气氛下1100℃‑1130℃烧结，得到陶瓷电容器介质材料。采用本发明所述的宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，能够解决现有的钛酸铋钠基压电陶瓷介电稳定性差、低介电常数以及高损耗，制备工艺条件苛刻的问题。

公开(公告)号：CN117886601B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410060575.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈沁懿 ,  吴文娟 ,  吴波 ,  李俊杰 ,  罗莉 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  李露露

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。

公开(公告)号：CN119100786A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411292255.X

申请日：2024-09-14

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  王灵之 ,  吴文娟 ,  李俊杰 ,  杨旭 ,  潘雨东 ,  陈沁懿 ,  陈民汇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷化学通式为(K0.48Na0.52)NbO3‑xLa2O3，x表示氧化镧La2O3的摩尔数，x为0.005～0.04。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、称量原料；S2、对原料进行一次球磨；S3、对一次混合粉料进行预烧；S4、对预烧料进行二次球磨；S5、在二次混合粉料中加入聚乙烯醇水溶液进行造粒；S6、对造粒后的粉料进行过筛；S7、将细粉依次进行压片、排胶处理；S8、对陶瓷坯体进行烧结；S9、将陶瓷体镀银电极，施加电压进行极化。采用本发明所述的铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法，获得致密性高、低介电损耗的透明铁电陶瓷材料，具有透光性与铁电性综合性能好的优点。

公开(公告)号：CN117886601A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410060575.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈沁懿 ,  吴文娟 ,  吴波 ,  李俊杰 ,  罗莉 ,  蒋芮 ,  陈民汇

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。