公开(公告)号：CN119822817A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510185805.6

申请日：2025-02-20

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  杨强 ,  吴波 ,  罗莉 ,  肖齐龙 ,  杨旭奕 ,  王东铂 ,  黄椿

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数、耐高温老化的压电陶瓷及制备方法，属于压电陶瓷技术领域。高机械品质因数、耐高温老化的压电陶瓷的化学通式为(Bi0.5Na0.44K0.04Li0.02)(Ti1‑xCox)O3，0.01

公开(公告)号：CN117362034B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN117362034A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311500391.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴文娟 ,  吴波 ,  陈敏 ,  蒋芮 ,  陈民汇 ,  陈沁懿

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。

公开(公告)号：CN116573936B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310850114.4

申请日：2023-07-12

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  陶红 ,  赵林 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。

公开(公告)号：CN111548157B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202010334753.1

申请日：2020-04-24

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  吴文娟 ,  陈敏

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明公开了一种基于双位掺杂的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法与应用，所述无铅电致伸缩陶瓷组分组成如下述通式所示:(1‑x‑y)(K0.6Na0.4)NbO3‑xNaSbO3‑yBi0.7Na0.5ZrO3‑aFe2O3表示，通式中的x、y、a取值分别为：0.05≤x≤0.09，0.01≤y≤0.05，0.001≤a≤0.01。本发明所制备的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷具有良好的优异的电致伸缩应变、电致伸缩系数和温度稳定性，其电致伸缩应变可达0.1％、电致伸缩系数可达0.047m4/C2，且电致伸缩系数在室温至180℃的宽温区内保持稳定，可在驱动器和微位移控制器等电子器件中获得应用，对取代铅基电致伸缩材料具有重大意义。

公开(公告)号：CN117886601A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410060575.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈沁懿 ,  吴文娟 ,  吴波 ,  李俊杰 ,  罗莉 ,  蒋芮 ,  陈民汇

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。

公开(公告)号：CN116986896A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311241871.8

申请日：2023-09-25

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  陶红 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  赵林 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑取代O2‑，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。

公开(公告)号：CN116986895A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311241879.4

申请日：2023-09-25

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  陶红 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  赵林 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的高压电性能无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷的化学通式为：Ba0.94Sr0.06Ti0.92Sn0.08O3‑0.08xS0.08x，其中，0.2≤x≤1。本发明通过利用SnS部分取代SnO2作为原料，实现S4‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂取代。相较于O2‑，S4‑的化学价更高，有利于建立非等价阴离子取代诱导的缺陷结构，并增大缺陷对的自发极化强度，从而增强极化强度，进而提升无铅压电陶瓷的压电和介电性能，压电常数d33最高可达1010~1700pC/N，室温相对介电常数εr可达6120~8830；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。

公开(公告)号：CN116553927B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310850112.5

申请日：2023-07-12

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 陶红 ,  吴波 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  赵林 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种无铅压电陶瓷及制备方法，压电陶瓷的化学通式为：0.95K0.48Na0.52Nb0.95Sb0.05O3‑0.035(Bi0.5Ag0.5)ZrO3‑0.015BaZrO3‑xF2x‑0.004Fe2O3，其中，x为用BaF2替代原料中的BaCO3的摩尔百分数，x=20~100%。本发明采用BaF2取代BaCO3作为原料,实现氟离子对氧离子的取代，即阴离子掺杂，使制备的压电陶瓷材料的相变处介电峰锐化，相对介电常数为2303~3001，压电系数为410~480 pC/N，制备过程采用Fe2O3作为助烧剂，能够有效地降低材料的烧结温度，有助于提升陶瓷的致密性，获得高质量的陶瓷。

公开(公告)号：CN107098701B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201710298760.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈敏 ,  吴波 ,  吴文娟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了铌酸钾钠锂‑锆酸铋钠钾‑钪酸铋三元系无铅压电陶瓷，解决了陶瓷无法在高压电常数的情况下依然能保证较高的居里温度的问题。本发明的通式为：(0.995‑x)(K0.5Na0.5)0.97Li0.03NbO3‑xBi0.5(Na0.8K0.2)0.5ZrO3‑0.005BiScO3，式中，0≤x≤0.06。本发明同时兼具良好的压电性能和较高的居里温度，拓宽了陶瓷的温度使用范围。