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公开(公告)号：CN110277374A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910170815.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开具有屏蔽件的集成电路(IC)封装及其生产方法。所公开的IC封装(401a、401b)包括引线框架(302)，该引线框架(302)包括管芯附接焊盘(303)和多个引线，管芯(402)附接到管芯附接焊盘(303)并且电耦合到多个引线，封装包封(301)覆盖引线框架(302)和管芯(402)的部分，其中封装包封(301)包括在IC封装(401)的外围处的凹陷(344)，并且其中凹陷(344)包括侧壁(404)。示例IC封装(401)还包括凹陷(344)中的屏蔽件(402a、402b)，其中屏蔽件的表面(424)与封装包封的表面(422)共面。
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公开(公告)号：CN112750795A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011188718.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了嵌入式管芯封装件中的框架设计。在一个示例中，嵌入式管芯封装件(112)包括具有暴露边界(136)的层，其中暴露边界的至少一部分包括有机材料。该封装件还包括至少一个集成电路管芯(116.2)，该集成电路管芯(116.2)位于该层中并在暴露边界内。该封装件还包括电介质材料(122)，该电介质材料(122)位于该层中并且在至少一个集成电路和与至少一个集成电路相邻的结构之间。
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公开(公告)号：CN111052365A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880054811.6
申请日：2018-07-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/50
Abstract: 一种嵌入式管芯封装件(410)包含管芯，该管芯具有在第一电压电势和小于第一电压电势的第二电压电势之间的工作电压。包含导电材料的通孔被电连接到管芯的表面上的键合焊盘(464)，该通孔包含垂直于沿着通孔的长度的平面的至少一个延伸部(494)。电连接到通孔的再分配层(460)相对于通孔成一定角度以在管芯的表面与再分配层(460)的表面之间限定空间(470)。堆积材料处于该空间中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107836036A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680040930.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/52
CPC classification number: B81C1/00873 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , B81B2207/07 , B81B2207/098 , B81C1/00333 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0159 , B81C2201/0181 , B81C2201/0188 , B81C2203/0136 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/96 , H01L2924/351 , H01L2924/3511
Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。
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公开(公告)号：CN111128533A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911048437.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01F27/30 , H01F27/29 , H01F27/28 , H01F27/24 , H01F41/00 , H01G4/30 , H01G4/002 , H01L25/16 , H01L23/64 , H01L21/50
Abstract: 本申请公开了用于功率元件集成的增材沉积低温可固化磁性互连层。用于形成变压器、电感器、电容器或其它无源电子元件的装置(100)，其具有在层压结构(104)中的图案化导电特征件(111、112、113)，以及一个或更多个铁氧体片或其它磁芯结构(101、102)，该一个或更多个铁氧体片或其它磁芯结构(101、102)经由一个或更多个喷墨印刷磁性粘合剂层(106、108)附接到层压结构(104)，该一个或更多个喷墨印刷磁性粘合剂层(106、108)将一个或更多个磁芯结构(101、102)联接到层压结构(104)。
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公开(公告)号：CN107836036B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201680040930.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/52
Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子‑清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。
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公开(公告)号：CN111354627A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911306999.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开集成电路背面金属化。一种用于背面金属化的方法包括在硅晶片(200)的第一表面(204)上喷墨印刷纳米银导电墨水(210)的图案。硅晶片(200)包括多个晶粒。该图案包括沿晶粒之间的划线的间隙区域(212)。激光通过晶片的第二表面(202)聚焦在硅晶片的第一表面(204)和硅晶片(200)的第二表面(202)之间的点处。第二表面(202)与第一表面(204)相反。沿划线分离晶粒。
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公开(公告)号：CN110911361A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910880419.3
申请日：2019-09-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了高压引线上倒装芯片(FOL)封装。本文描述的是用于制造引线上倒装芯片(FOL)半导体封装(100)的技术或方法。引线框架(104)包括在表面上的边缘(114)，该边缘(114)具有提供径向和均匀电场分布的几何形状。通过沿半导体芯片(102)的有源侧放置形成的几何形状，存在于引线框架和半导体芯片之间的电场均匀地集中。
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