公开(公告)号：CN102870203A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201080065821.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： K·马瓦塔里 ,  K·奥亚 ,  Y·尤米达 ,  J·A·韦斯特

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种集成电路器件（100），其包括具有顶面的衬底（110），该顶面包括衬底焊盘（112）；以及包括半导体衬底（105）的贯穿衬底通孔（115）芯片，半导体衬底（105）包括具有有源电路的顶部半导体表面（106）和底表面（106）。顶部半导体表面（107）包括在衬底顶表面上耦合到衬底焊盘的结合连接器（109）。多个贯穿衬底通孔（TSV）包括从顶侧半导体表面延伸到凸出TSV尖端（121）的内部金属芯（125），该TSV尖端（121）从底表面向外延伸。多个TSV的至少一个是伪TSV（120），伪TSV（120）具有其凸出TSV尖端，该凸出TSV尖端没有到其上的任何电气连接，并且提供另外表面积从而增强从TSV芯片的底侧散热。

公开(公告)号：CN112750795A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011188718.X

申请日：2020-10-30

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： W·金 ,  M·玛塔苏拉 ,  M·松本 ,  K·奥亚 ,  H·T·阮 ,  V·K·阿罗拉 ,  A·波达尔 ,  H·松下

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了嵌入式管芯封装件中的框架设计。在一个示例中，嵌入式管芯封装件(112)包括具有暴露边界(136)的层，其中暴露边界的至少一部分包括有机材料。该封装件还包括至少一个集成电路管芯(116.2)，该集成电路管芯(116.2)位于该层中并在暴露边界内。该封装件还包括电介质材料(122)，该电介质材料(122)位于该层中并且在至少一个集成电路和与至少一个集成电路相邻的结构之间。

公开(公告)号：CN102870203B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080065821.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： K·马瓦塔里 ,  K·奥亚 ,  Y·尤米达 ,  J·A·韦斯特

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种集成电路器件（100），其包括具有顶面的衬底（110），该顶面包括衬底焊盘（112）；以及包括半导体衬底（105）的贯穿衬底通孔（115）芯片，半导体衬底（105）包括具有有源电路的顶部半导体表面（106）和底表面（106）。顶部半导体表面（107）包括在衬底顶表面上耦合到衬底焊盘的结合连接器（109）。多个贯穿衬底通孔（TSV）包括从顶侧半导体表面延伸到凸出TSV尖端（121）的内部金属芯（125），该TSV尖端（121）从底表面向外延伸。多个TSV的至少一个是伪TSV（120），伪TSV（120）具有其凸出TSV尖端，该凸出TSV尖端没有到其上的任何电气连接，并且提供另外表面积从而增强从TSV芯片的底侧散热。

公开(公告)号：CN115732479A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211029459.5

申请日：2022-08-25

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： W·金 ,  V·K·阿罗拉 ,  M·涩谷 ,  K·奥亚

IPC: H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/367 ,  H02M1/00 ,  H02M3/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本申请公开了功率转换器模块。一种功率转换器模块(100)包括功率晶体管以及具有第一表面(140)和与第一表面(140)相对的第二表面(144)的衬底(136)。热焊盘(138)位于衬底(136)的第二表面(144)上，并且热焊盘(138)被配置为热耦合到散热器(132)。功率转换器模块(100)还包括安装在衬底(136)的第一表面(140)上的控制模块(148)。控制模块(148)包括耦合到功率晶体管的控制IC芯片(104)。第一控制IC芯片(108)控制功率转换器模块(100)的第一开关电平，并且第二控制IC芯片(104)控制功率转换器模块(100)的第二开关电平。屏蔽面(152)覆盖衬底(138)。第一屏蔽面(156)位于热焊盘(138)和第一控制IC芯片(108)之间，并且第二屏蔽面(160)位于热焊盘(138)和第二控制IC芯片(112)之间。

公开(公告)号：CN111052365A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880054811.6

申请日：2018-07-09

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： W·金 ,  M·松浦 ,  M·松本 ,  K·奥亚 ,  H·T·阮 ,  V·K·阿罗拉 ,  A·波达尔

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/50

Abstract: 一种嵌入式管芯封装件(410)包含管芯，该管芯具有在第一电压电势和小于第一电压电势的第二电压电势之间的工作电压。包含导电材料的通孔被电连接到管芯的表面上的键合焊盘(464)，该通孔包含垂直于沿着通孔的长度的平面的至少一个延伸部(494)。电连接到通孔的再分配层(460)相对于通孔成一定角度以在管芯的表面与再分配层(460)的表面之间限定空间(470)。堆积材料处于该空间中。