公开(公告)号：CN104488079A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201280064723.7

申请日：2012-12-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  W·亨施 ,  E·莱奥班顿 ,  林崇勳 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。

公开(公告)号：CN102971854A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033615.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S-J·韩 ,  林崇勳 ,  郭德超 ,  J·常

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0048

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成碳材料；在碳材料上形成栅极叠层；去除衬底的一部分以形成至少一个腔，所述腔通过碳材料的一部分和所述衬底限定；以及在至少一个腔内形成导电接触。

公开(公告)号：CN102782856A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011564.X

申请日：2011-02-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  林崇勳 ,  苏宁

IPC: H01L29/12

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  Y10S977/755

Abstract: 一种三维（3D）集成电路（IC）结构包括：形成在衬底上的第一石墨烯层；利用所述第一石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第一层级；形成在所述一个或多个有源器件的第一层级上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的第二石墨烯层；以及利用所述第二石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第二层级，所述一个或多个有源器件的第二层级与所述一个或多个有源器件的第一层级电气互连。

公开(公告)号：CN104488079B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201280064723.7

申请日：2012-12-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  W·亨施 ,  E·莱奥班顿 ,  林崇勳 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。

公开(公告)号：CN102971854B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201180033615.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S-J·韩 ,  林崇勳 ,  郭德超 ,  J·常

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0048

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成碳材料；在碳材料上形成栅极叠层；去除衬底的一部分以形成至少一个腔，所述腔通过碳材料的一部分和所述衬底限定；以及在至少一个腔内形成导电接触。

公开(公告)号：CN102782856B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180011564.X

申请日：2011-02-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  林崇勳 ,  苏宁

IPC: H01L29/12

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  Y10S977/755

Abstract: 一种三维（3D）集成电路（IC）结构包括：形成在衬底上的第一石墨烯层；利用所述第一石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第一层级；形成在所述一个或多个有源器件的第一层级上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的第二石墨烯层；以及利用所述第二石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第二层级，所述一个或多个有源器件的第二层级与所述一个或多个有源器件的第一层级电气互连。