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公开(公告)号：CN104282770B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
Abstract: 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100483734C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
Abstract: 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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公开(公告)号：CN103339630B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280006066.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0255 , G06F17/5022 , G06F17/5045 , H01L27/0262 , H01L27/1203 , H01L29/6609 , H01L29/66393 , H01L29/7436 , H01L29/861
Abstract: SOI工艺的具有减小的结面积的器件结构、制造所述器件结构的方法，以及横向二极管（56）的设计结构。所述器件结构包括一个或多个介电区域（20a、20b、20c），例如STI区域，其位于器件区域（18）中并与阳极（40、42）和阴极（28、30、48a、48b、49a、49b、50a、50b）之间的p?n结（52、54）相交。可以使用浅沟槽隔离技术形成的所述介电区域用于针对与p?n结横向间隔的位置处的所述阴极和所述阳极的宽度范围减小p?n结的宽度。该宽度差异和该介电区域的存在将产生非对称二极管结构。最小化所述介电区域占用的所述器件区域的体积以便保持所述阴极和阳极的体积。
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公开(公告)号：CN1846309A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
Abstract: 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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公开(公告)号：CN104282770A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
Abstract: 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN103339630A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006066.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0255 , G06F17/5022 , G06F17/5045 , H01L27/0262 , H01L27/1203 , H01L29/6609 , H01L29/66393 , H01L29/7436 , H01L29/861
Abstract: SOI工艺的具有减小的结面积的器件结构、制造所述器件结构的方法，以及横向二极管（56）的设计结构。所述器件结构包括一个或多个介电区域（20a、20b、20c），例如STI区域，其位于器件区域（18）中并与阳极（40、42）和阴极（28、30、48a、48b、49a、49b、50a、50b）之间的p-n结（52、54）相交。可以使用浅沟槽隔离技术形成的所述介电区域用于针对与p-n结横向间隔的位置处的所述阴极和所述阳极的宽度范围减小p-n结的宽度。该宽度差异和该介电区域的存在将产生非对称二极管结构。最小化所述介电区域占用的所述器件区域的体积以便保持所述阴极和阳极的体积。
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