公开(公告)号：CN1577830A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410054921.2

申请日：2004-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李·M·尼科尔森 ,  曾伟志 ,  克里斯蒂·泰博格

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7688 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种衬底上的电互连结构，包括：第一低k电介质层；旋涂低k CMP保护层，该保护层与第一低k电介质层以共价键相结合；以及提供CVD沉积的硬掩模/CMP抛光停止层。在第一低k电介质层中可以制作电通路和衬里。旋涂的低k CMP保护层防止对低k电介质的破坏，这种破坏可能从中心到边缘或者在金属密度变化的区域内由于CMP处理过程中的不均匀而造成。低k CMP保护层的厚度可以在不显著地影响这种结构有效介电常数的情况下调节以适应CMP处理中的较大变化。

公开(公告)号：CN1309074C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410054921.2

申请日：2004-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李·M·尼科尔森 ,  曾伟志 ,  克里斯蒂·泰博格

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7688 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种衬底上的电互连结构，包括：第一低k电介质层；旋涂低k CMP保护层，该保护层与第一低k电介质层以共价键相结合；以及提供CVD沉积的硬掩模/CMP抛光停止层。在第一低k电介质层中可以制作电通路和衬里。旋涂的低k CMP保护层防止对低k电介质的破坏，这种破坏可能从中心到边缘或者在金属密度变化的区域内由于CMP处理过程中的不均匀而造成。低k CMP保护层的厚度可以在不显著地影响这种结构有效介电常数的情况下调节以适应CMP处理中的较大变化。