公开(公告)号：CN103579080B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210549608.0

申请日：2012-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  李志聪 ,  洪敏皓 ,  连明惠 ,  吴志仁 ,  黄振铭

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76227

Abstract: 本发明提供了一种在半导体晶圆上沉积聚硅氮烷的方法。方法包括以下步骤：将硅氮烷设置在半导体晶圆上以及加热硅氮烷以在半导体晶圆上形成聚硅氮烷。本发明还提供了一种在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的装置。

公开(公告)号：CN102790014B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210023819.0

申请日：2012-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  洪敏皓 ,  葛翔翔 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。示例性半导体器件及制造该半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成介电层；在介电层内形成第一沟槽，其中，第一沟槽延伸穿过介电层；在第一沟槽内外延(epi)生长第一有源层；以及利用辐射能量选择性地固化邻近第一有源层的介电层。本发明还提供了一种经受应力的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103579080A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210549608.0

申请日：2012-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  李志聪 ,  洪敏皓 ,  连明惠 ,  吴志仁 ,  黄振铭

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76227

Abstract: 本发明提供了一种在半导体晶圆上沉积聚硅氮烷的方法。方法包括以下步骤：将硅氮烷设置在半导体晶圆上以及加热硅氮烷以在半导体晶圆上形成聚硅氮烷。本发明还提供了一种在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的装置。

公开(公告)号：CN103456834A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210436608.X

申请日：2012-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  陈科维 ,  郑志成 ,  洪敏皓

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L29/36 ,  H01L31/1037 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及处理半导体器件表面从而减小暗电流和白像素异常的系统和方法。一个实施例包括一种应用于半导体或光电二极管器件表面的方法，该光电二极管器件表面与感光区域相邻并且与用于该器件的具有电路结构的面相对。可以在衬底的表面之下任选地生成深度小于大约10纳米的掺杂层并且该掺杂层可以掺杂大约1E13和1E16之间的硼浓度。可以使用足以将表面粗糙度降低到预设的粗糙度阈值以下的温度，任选地在大约300℃和500℃之间的温度下，在衬底上生成氧化物并且其厚度约在1纳米和10纳米之间。然后，可以在该氧化物上形成电介质，该电介质具有大于预设折射阈值的折射率，任选地至少约为2.0。本发明提供处理背照式光电二极管的系统和方法。

公开(公告)号：CN108735623B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201710585519.4

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  洪敏皓 ,  陈冠中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。

公开(公告)号：CN103633140A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210540747.7

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏皓 ,  周友华 ,  李志聪 ,  张简旭珂 ,  廖茂成 ,  葛翔翔 ,  黄振铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。

公开(公告)号：CN108735623A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710585519.4

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  洪敏皓 ,  陈冠中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/67 ,  H01L2221/683

Abstract: 一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。

公开(公告)号：CN103846770B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201310182347.8

申请日：2013-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士琦 ,  吴坤泰 ,  周友华 ,  李志聪 ,  洪敏皓 ,  吴志仁 ,  黄振铭 ,  黃循康 ,  詹金祥 ,  杨智渊

IPC: B24B29/02

CPC classification number: B24B37/20 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67703 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于抛光半导体晶圆的抛光系统包括用于保持半导体晶圆的晶圆支撑件以及用于抛光半导体晶圆的区域的第一抛光垫。半导体晶圆具有第一直径，而第一抛光垫具有短于第一直径的第二直径。本发明还提供了抛光方法。

公开(公告)号：CN103456834B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210436608.X

申请日：2012-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  陈科维 ,  郑志成 ,  洪敏皓

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L29/36 ,  H01L31/1037 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及处理半导体器件表面从而减小暗电流和白像素异常的系统和方法。一个实施例包括一种应用于半导体或光电二极管器件表面的方法，该光电二极管器件表面与感光区域相邻并且与用于该器件的具有电路结构的面相对。可以在衬底的表面之下任选地生成深度小于大约10纳米的掺杂层并且该掺杂层可以掺杂大约1E13和1E16之间的硼浓度。可以使用足以将表面粗糙度降低到预设的粗糙度阈值以下的温度，任选地在大约300℃和500℃之间的温度下，在衬底上生成氧化物并且其厚度约在1纳米和10纳米之间。然后，可以在该氧化物上形成电介质，该电介质具有大于预设折射阈值的折射率，任选地至少约为2.0。本发明提供处理背照式光电二极管的系统和方法。

公开(公告)号：CN103633140B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210540747.7

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏皓 ,  周友华 ,  李志聪 ,  张简旭珂 ,  廖茂成 ,  葛翔翔 ,  黄振铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。