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公开(公告)号：CN118486685A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311862926.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/58 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括具有在电路上方形成的重分布层(RDL)的电路。重分布层包括多个金属层。电感器形成在最上面的金属层中，并且电路直接位于电感器下方。凸块下金属化(UBM)层形成在最上面的金属层上和导电连接件形成在UBM层上。本发明的实施例还提供了一种半导体结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN110854100B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910343464.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/28
Abstract: 本申请提供一种多端点电感器，包括：一半导体基底；一互连结构，设置在半导体基底上，互连结构具有多个金属层；一第一磁性层，设置在互连结构的一最上表面上；一导线，设置在第一磁性层上；一第一输入/输出(I/O)接合结构，在一第一位置从导线分岔；一第二I/O接合结构，在一第二位置从导线分岔，第二位置与第一位置间隔开；以及一第三I/O接合结构，第三I/O接合结构在第一位置与第二位置之间的一第三位置从导电线分岔，其中第三I/O接合结构与第一I/O接合结构之间的一连接具有一第一电感，以及第一I/O接合结构与第二I/O接合结构之间的一替代连接具有一第二电感，第二电感大于第一电感。
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公开(公告)号：CN101488498A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910001320.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01G4/38
CPC classification number: H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
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公开(公告)号：CN1217379C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02130579.X
申请日：2002-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层，其中该蚀刻液蚀刻该绝缘层的速率较该遮蔽层快。
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公开(公告)号：CN1476045A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02130579.X
申请日：2002-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105845652A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610192275.9
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L29/665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。
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公开(公告)号：CN102456665A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110312112.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/08 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01G4/005 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , H01L2924/00
Abstract: 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。
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公开(公告)号：CN101409283B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810098183.X
申请日：2008-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L23/5223 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。
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公开(公告)号：CN101488498B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910001320.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01G4/38
CPC classification number: H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
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公开(公告)号：CN100539143C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710153396.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成，并且其中所述电容器阵列至少包括两行与两列。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
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