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公开(公告)号：CN108987227B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201710407467.1
申请日：2017-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种等离子体处理晶片的方法，包括将晶片设置于反应腔体内的支撑件上。于反应腔体内产生等离子体，并通过第一偏压使等离子体中的离子射向晶片。分别在支撑件的周围的第一位置及第二位置上检测等离子体的第一离子浓度及第二离子浓度。比较第一离子浓度及第二离子浓度。当第一离子浓度与第二离子浓度的差异大于临界值，使用多个等离子体位移控制器于反应腔体内产生第二偏压，以改变等离子体中的离子的行进方向。
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公开(公告)号：CN106531603B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510860494.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/244
Abstract: 一种离子收集器、等离子体系统的控制方法及处理基板的方法，离子收集器包含多个区段及多个积分器。多个区段与彼此实体隔离且围绕基板支撑件设置。每一区段包含导电元件，此导电元件用以传导因来自于等离子体的离子所产生的电流。每一个积分器耦接至对应的导电元件。积分器设计以决定对应的导电元件的离子分布，离子分布的决定至少基于导电元件所传导的电流。离子收集器可用以提高一或多个晶圆的均匀性测量结果的准确度，从而产生更佳的系统控制及更高的装置产率。
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公开(公告)号：CN108987227A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710407467.1
申请日：2017-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种等离子体处理晶片的方法，包括将晶片设置于反应腔体内的支撑件上。于反应腔体内产生等离子体，并通过第一偏压使等离子体中的离子射向晶片。分别在支撑件的周围的第一位置及第二位置上检测等离子体的第一离子浓度及第二离子浓度。比较第一离子浓度及第二离子浓度。当第一离子浓度与第二离子浓度的差异大于临界值，使用多个等离子体位移控制器于反应腔体内产生第二偏压，以改变等离子体中的离子的行进方向。
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公开(公告)号：CN106531603A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510860494.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/244
Abstract: 一种离子收集器、等离子体系统的控制方法及处理基板的方法，离子收集器包含多个区段及多个积分器。多个区段与彼此实体隔离且围绕基板支撑件设置。每一区段包含导电元件，此导电元件用以传导因来自于等离子体的离子所产生的电流。每一个积分器耦接至对应的导电元件。积分器设计以决定对应的导电元件的离子分布，离子分布的决定至少基于导电元件所传导的电流。离子收集器可用以提高一或多个晶圆的均匀性测量结果的准确度，从而产生更佳的系统控制及更高的装置产率。
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