公开(公告)号：CN1437269A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN02103596.2

申请日：2002-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭治群

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

Abstract: 一种闸极组件及其制造方法。为提供一种使MOS晶体管配合组件尺寸缩小化、提高组件积集度及性能的半导体组件及其制造方法，提出本发明，闸极组件包括包括基底、形成于基底表面的高介电常数的闸极介电层、形成于闸极介电层表面的闸极、形成于闸极的侧壁低介电常数的闲置间隔物及形成于闲置间隔物的侧壁的主间隔物；制造方法包括在半导体基底形成高介电常数的介电层、于介电层上形成导电层、定义导电层并与高介电常数的介电层以分别形成闸极及闸极介电层、于闸极侧壁形成低介电常数的闲置间隔物及于闲置间隔物的侧壁形成主间隔物。

公开(公告)号：CN1661800A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410088048.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 连万益 ,  张家龙 ,  郭治群 ,  陈冠中

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF被动组件及主动组件的传导绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF被动组件及传导绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。

公开(公告)号：CN1527385A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN03120243.8

申请日：2003-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡则伦 ,  贾育台 ,  郭治群

IPC: H01L27/01 ,  H01G4/00

Abstract: 一种多层叉合(Interdigitated)金属电容结构，其每一层由两个极性不同的梳状结构金属电极彼此叉合而构成，并且任两相邻层中的金属电极的梳状结构互相垂直，并借由梳状结构边上的介层窗(Via)连接同极性金属电极。其中，任两金属电极之间被介电材料所隔开。

公开(公告)号：CN100438070C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN02103596.2

申请日：2002-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭治群

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

Abstract: 一种栅极组件及其制造方法。为提供一种使MOS晶体管配合组件尺寸缩小化、提高组件积集度及性能的半导体组件及其制造方法，提出本发明，栅极组件包括基底、形成于基底表面的高介电常数的栅极介电层、形成于栅极介电层表面的栅极、形成于栅极的侧壁低介电常数的闲置间隔物及形成于闲置间隔物的侧壁的主间隔物；制造方法包括在半导体基底形成高介电常数的介电层、于介电层上形成导电层、定义导电层并与高介电常数的介电层以分别形成栅极及栅极介电层、于栅极侧壁形成低介电常数的闲置间隔物及于闲置间隔物的侧壁形成主间隔物。

公开(公告)号：CN100359692C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03120243.8

申请日：2003-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡则伦 ,  贾育台 ,  郭治群

IPC: H01L27/04 ,  H01G4/005

Abstract: 一种多层叉合(Interdigitated)金属电容结构，其每一层由两个极性不同的梳状结构金属电极彼此叉合而构成，并且任两相邻层中的金属电极的梳状结构互相垂直，并借由梳状结构边上的通孔(Via)连接同极性金属电极。其中，任两金属电极之间被介电材料所隔开。

公开(公告)号：CN100353552C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410088048.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 连万益 ,  张家龙 ,  郭治群 ,  陈冠中

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF无源组件及有源组件的导电绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF无源组件及导电绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。

公开(公告)号：CN2746498Y

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200420084862.9

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡则伦 ,  贾育台 ,  郭治群

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/00

Abstract: 一种多层叉合(Interdigitated)金属电容结构，其每一层是由两个极性不同的梳状结构金属电极彼此叉合而构成，且任两相邻层中的金属电极的梳状结构互相垂直，并藉由梳状结构边上的介层窗(Via)连接同极金属电极。其中，任两金属电极之间则为介电材料所隔开。