公开(公告)号：CN106486543B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201610008536.7

申请日：2016-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游政昇 ,  林信志 ,  黄坤铭 ,  陈列全 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体器件包括位于衬底上的第一III‑V族化合物层、位于第一III‑V族化合物层上的第二III‑V族化合物层、设置在第二III‑V族化合物层上的栅极金属堆叠件、设置在栅极金属堆叠件的相对两侧处的源极接触件和漏极接触件、设置在栅极金属堆叠件和漏极接触件之间的栅极场板、形成在源极接触件和漏极接触件上的抗反射涂层(ARC)层以及形成在ARC层上的蚀刻停止层，其中，第一III‑V族化合物层的材料与第二III‑V族化合物层的材料不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103855140B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310173217.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7394 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。

公开(公告)号：CN103855140A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310173217.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7394 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。

公开(公告)号：CN103996671A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310187908.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/76262 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明是多层衬底。集成电路的衬底包括具有原载流子浓度的器件晶圆和设置在器件晶圆上方的外延层。外延层具有第一载流子浓度。第一载流子浓度高于原载流子浓度。

公开(公告)号：CN108962828B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201710559938.0

申请日：2017-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利 ,  陈仲诚

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN109256375A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810419528.0

申请日：2018-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  杨钧沂 ,  黄坤铭 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路(IC)。在一些实施例中，层间介电(ILD)层覆盖衬底并且至少部分地限定沟槽。该沟槽从ILD层的顶部延伸穿过ILD层至衬底。导电焊盘位于ILD层上面。第一钝化层位于ILD层和导电焊盘上面，并且进一步限定导电焊盘上面的焊盘开口。第二钝化层位于ILD层、导电焊盘和第一钝化层上面，并且进一步内衬焊盘开口中的第一钝化层的侧壁和沟槽中的ILD层的侧壁。此外，第二钝化层相对于ILD层具有低湿气或蒸汽渗透率。本发明的实施例还涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。

公开(公告)号：CN108962828A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710559938.0

申请日：2017-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利 ,  陈仲诚

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN109256375B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201810419528.0

申请日：2018-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  杨钧沂 ,  黄坤铭 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路(IC)。在一些实施例中，层间介电(ILD)层覆盖衬底并且至少部分地限定沟槽。该沟槽从ILD层的顶部延伸穿过ILD层至衬底。导电焊盘位于ILD层上面。第一钝化层位于ILD层和导电焊盘上面，并且进一步限定导电焊盘上面的焊盘开口。第二钝化层位于ILD层、导电焊盘和第一钝化层上面，并且进一步内衬焊盘开口中的第一钝化层的侧壁和沟槽中的ILD层的侧壁。此外，第二钝化层相对于ILD层具有低湿气或蒸汽渗透率。本发明的实施例还涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。

公开(公告)号：CN106935537B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201611200189.4

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈加源 ,  吕宏仁 ,  李明宪 ,  褚伯韬

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/677

Abstract: 本揭露涉及一种晶圆匣系统以及传送半导体晶圆的方法。晶圆匣系统包括一具有一第一群晶圆插槽的晶圆匣，被配置为用以接收具有一第一直径的一或多个半导体晶圆。可适性嵌晶布置在晶圆匣的一内腔中。可适性嵌晶包括一第二群晶圆插槽，第二群晶圆插槽分别被配置为用以接收具有一小于第一直径的第二直径的一或多个半导体晶圆。可适性嵌晶允许晶圆匣保持具有第二直径的半导体晶圆，因此使得半导体制程工具能够处理具有不同直径的半导体晶圆，而与由工具能接收的晶圆匣所保持的那些有所不同。

公开(公告)号：CN106935537A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611200189.4

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈加源 ,  吕宏仁 ,  李明宪 ,  褚伯韬

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/677

Abstract: 本揭露涉及一种晶圆匣系统以及传送半导体晶圆的方法。晶圆匣系统包括一具有一第一群晶圆插槽的晶圆匣，被配置为用以接收具有一第一直径的一或多个半导体晶圆。可适性嵌晶布置在晶圆匣的一内腔中。可适性嵌晶包括一第二群晶圆插槽，第二群晶圆插槽分别被配置为用以接收具有一小于第一直径的第二直径的一或多个半导体晶圆。可适性嵌晶允许晶圆匣保持具有第二直径的半导体晶圆，因此使得半导体制程工具能够处理具有不同直径的半导体晶圆，而与由工具能接收的晶圆匣所保持的那些有所不同。