公开(公告)号：CN103296063B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210359847.X

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾昭玮 ,  黄坤铭 ,  庄正吉 ,  杨富雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 高电压MOS晶体管包括在衬底上方形成的第一漏极/源极区、在衬底上方形成的第二漏极/源极区以及在衬底上方形成的第一金属层。第一金属层包括通过第一金属塞连接至第一漏极/源极区的第一导体，通过第二金属塞连接至第二漏极/源极区的第二导体以及在第一导体和第二导体之间形成的多个浮置金属环。浮置金属环有助于提高高电压MOS晶体管的击穿电压。本发明提供用于高电压MOS晶体管的装置和方法。

公开(公告)号：CN103996671A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310187908.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/76262 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明是多层衬底。集成电路的衬底包括具有原载流子浓度的器件晶圆和设置在器件晶圆上方的外延层。外延层具有第一载流子浓度。第一载流子浓度高于原载流子浓度。

公开(公告)号：CN103996671B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310187908.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/76262 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明是多层衬底。集成电路的衬底包括具有原载流子浓度的器件晶圆和设置在器件晶圆上方的外延层。外延层具有第一载流子浓度。第一载流子浓度高于原载流子浓度。

公开(公告)号：CN103296063A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210359847.X

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾昭玮 ,  黄坤铭 ,  庄正吉 ,  杨富雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 高电压MOS晶体管包括在衬底上方形成的第一漏极/源极区、在衬底上方形成的第二漏极/源极区以及在衬底上方形成的第一金属层。第一金属层包括通过第一金属塞连接至第一漏极/源极区的第一导体，通过第二金属塞连接至第二漏极/源极区的第二导体以及在第一导体和第二导体之间形成的多个浮置金属环。浮置金属环有助于提高高电压MOS晶体管的击穿电压。本发明提供用于高电压MOS晶体管的装置和方法。

公开(公告)号：CN103855140B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310173217.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7394 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。

公开(公告)号：CN103855140A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310173217.8

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林隆世 ,  杨富雄 ,  黄坤铭 ,  林明毅 ,  褚伯韬

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7394 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。

公开(公告)号：CN219873522U

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202320009230.9

申请日：2023-01-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光茗 ,  高荣辉 ,  黄健峻 ,  杨富雄

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体测试器件，其包括用于测试的多个器件使用一个或多个重分布层串联，并用于对多个管芯进行半导体器件测试。如此，半导体器件测试可以支持数以千计或更多的每晶片总管芯数(例如，10,000个管芯或更多大)。此外，重分布层可以在使用后移除。在一些实施方式中，与管芯对应的用于测试的器件可以依序执行半导体器件测试。因此，可以生成测试数据并且可以包括比特序列，其中比特序列中的第一比特表示测试的总体结果，并且比特序列中的一个或多个后续比特表示每个半导体管芯或半导体器件测试的每条线的相应结果。